- UID
- 109919
- 性别
- 男
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版主大侠,我调试我做的这块NE64板子的时候,现在有很多问题都是糊里糊涂的,在这里好好请教您一下。
第一个问题:
当外部扩展RAM的时候,我扩展的是CY7C1041CV33,片选信号是XA19,是不是在读写片外扩展的RAM的时候,由于存储器的映射,只要读写的地址是4位数以上的比如10000H,那么它所指向的肯定是片外地址?那个如果是00000,它指向的也是片外地址吗?
第二个问题:
我对片内自带的RAM进行读写操作的时候,都是好的,读写片内1000到3FFF地址的12KRAM,
volatile tU16 ram_buffer;
tU16 ram_buffer@0x1000;
ram_buffer=0x2000;
我这样在调试的时候,看到数据都写进去了,是不是如果我对片外扩展的RAM也可以用同样的方式了?
volatile tU16 ram_buffer;
tU16 ram_buffer@0x10000;
ram_buffer=0x1000;
这样在调试的时候,不能够成功,用示波器看波形,知心执行此句程序的手,WR信号,有变化,ECS ,XCS ,XA19,所有的地址线无变化,我的外部总线初始化程序如下:
#if USE_EXTBUS
void ExternalBusCfg() {
//Configure to External Bus Mode
//The following must not use BSET instructions.
RDRIV = 0x00;
PEAR = 0x0C; // ((LSTRE|RDWE)&~NECLK)
EBICTL = 0x01; // Enable clock stretching (ESTR)
MISC = 0x04; // (~EXSTR1+EXSTR0+~ROMHM+ROMON)
MODE = 0xE2; // (MODC+MODB+MODA+EMK+~EME)
}
#endif
我的原理图,在图片中,如果版主不介意的话,能不能加一下我的QQ啊?393487229,帮帮我啊? |
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