提高继电器触点抗浪涌能力的一种新颖旁路保护电路（3）--实验验证 继电器, 能力

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提高继电器触点抗浪涌能力的一种新颖旁路保护电路（3）--实验验证
   
实验边界条件如下：
    (1)取R2=15kΩ，R3=15kΩ，C1=4．7μF、C2=10μF、R5=2．7Ω；
    (2)P沟道MOSFET型号为IRF5210；
    (3)继电器采用3JB20-3型继电器，单触点额定电流为15A，触点动作时间为6．4ms，线圈额定电压为28V；
    (4)设定功率线输入正端电压U1=28V，未采用浪涌旁路保护电路时，流过继电器触点K1的电流波形见图4。

    实际测试结果如下：
    (1)脉冲驱动信号高电平为28V，持续时间为80ms；
    (2)流过继电器触点K1的额定电流值为10A，浪涌电流值最大为49．4A，幅值已超过了继电器触点的额定电流值，持续时间为4．8ms。
    采用浪涌旁路保护电路后，流过继电器触点K1的电流波形见图5。

    实际测试结果如下：
    (1)脉冲驱动信号高电平为28V，持续时间为80ms；
    (2)脉冲信号高电平建立6．4ms后继电器触点接通，流过继电器触点K1的电流值为3．6A，80ms驱动信号为低电平，Q1截止，电流全部流过继电器触点，电流值为10A。
    根据以上测试结果，浪涌旁路保护电路满足设计要求，在功率线输入正端电压U1接通瞬间，由于电容器产生的浪涌电流被浪涌旁路保护电路旁路(浪涌电流持续时间为4．8ms)，在继电器触点接通(脉冲信号高电平建立后6．4ms)前，回路中电流值已恢复到额定电流值，能够确保继电器触点安全。