图2 自举电路充电路径及工作时序图
自举电容C1的容值计算公式为C1=IBS X T1/△V,式中T1为上臂IGBT的最大通态(ON)脉宽,IBS为IC的驱动电流(考虑温度和频率特性),△V为允许的放电电压。注意,用该式计算出的自举电容容值应是最小值,实际选择时应增加一定裕量。
自举电阻R2的阻值选择应满足下述条件:时间常数R2 X C1能使放电电压(△V)在下臂IGBT的最小导通脉宽(T2)内被充电到C1上。即 R2={(VD-VDB) X T2}/(C1 X △V),式中VD为电源电压,VDB为自举电容C1上电压。
自举二极管选择:对3Φ 200VAC电路,若电源输入电压波动范围取±30%,则三相全桥整流后直流电压VD=200 X 1.3 X1.35=351(V),取最小裕量为1.5,则自举二极管耐压应为351 X1.5=526.5(V),取600V。故自举二极管额定电压最小应为600V,因为PWM载波频率较高(最大为20KHZ),推荐选用快恢复二极管(反向恢复时间小于100nS)。 硬件设计要点
根据笔者设计该系统的经验,硬件设计应注意以下方面,以提高系统抗干扰性,使之在强干扰的现场工业环境中能可靠稳定运行。
·虽然DIP-IPM模块可由DSP直接驱动,但实际调试时发现,在上电及对DSP进行flash编程过程中,DSP的引脚有时会出现不确定状态,产生干扰脉冲导致IPM的上、下臂IGBT直通引起短路保护动作。故我们在DSP到IPM的两组触发脉冲通道中分别加了一个八通道、双电源3态门转换收发芯片74LVC4245,该芯片的输出使能端由一个简单的逻辑门电路控制,如图3所示。以确保在上电及对DSP进行flash编程时不会有干扰脉冲误触发IPM。