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[求助]又一个关于SDRAM的问题

[求助]又一个关于SDRAM的问题


程序在片上ram中能够成功运行,而且可以成功对SDRAM读写:先在SDRAM不同地址写入不同的数据,然后再把它们分别读出来,读出的数据在液晶上显示,可以看到读写正确
但是我想让程序在SDRAM上运行时却出现了Verify错误,请问前辈们这时候问题会出在哪儿呢?
SDRAM是13位地址位,16位数据位,应用了PLL产生C0和C1两个输出,一个给Nios系统,无相移,一个给SDRAM,相移-30
在Nios IDE的 _syslib属性页中设置了代码、只读数据、读写数据的内存位置均为SDRAM
********求知欲和创造欲是原动力********

"SDRAM是13位地址位,16位数据位,应用了PLL产生C0和C1两个输出,一个给Nios系统,无相移,一个给SDRAM,相移-30
在Nios IDE的 _syslib属性页中设置了代码、只读数据、读写数据的内存位置均为SDRAM"

1使用pllout口就是e口对sdram的clk口。

2相移在-70左右。

这个版主不太冷 =========================== 我的中电网博客:http://blog.chinaecnet.com/u/20/index.htm

谢谢版主热心回答
由于板子是定死的,没有办法把e口分配到sdram的clk上面去,sdram的clk接在了FPGA的一个普通IO口上
我看见版主在其他帖子里面说过,e口输出的波形比c的要好,但是c口就不能用吗?我通过示波器看过,波形质量相差也不是很大,都是那种不规则正弦波模样
相移我改过多次 ,-70也试过,不行。在SOPC Builder中我把sdram控制器的参数都按照芯片手册设置了
我想问版主,是不是在SOPC Builder中还一定要把reset address等设在sdram中啊?
********求知欲和创造欲是原动力********

这种情况我以前碰到过,在sram和片内ram中都能运行程序,并且也能够对sdram进行读写,但是就是sdram不能运行程序,后来我没有办法,重新画了板子,改了一下布线就好了。

在交流中前进,共同实现nios的应用。
就是说有可能是板子线路的问题喽?这也有可能,这块板子是我自己布的
到底pll的c口输出能不能驱动sdram的clk啊?应该没有问题吧?像EP1C6的144封装的就没有pll的e口输出
其他的信号线有没有特殊要求,直接接在FPGA普通io口上行吗?
楼上前辈,你运行成功时,SOPC Builder和Nios IDE中都需要设置些什么啊?

[此贴子已经被作者于2007-9-7 21:28:27编辑过]

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"e口输出的波形比c的要好,但是c口就不能用吗?我通过示波器看过,波形质量相差也不是很大,都是那种不规则正弦波模样
"

e口和c口的波形大得多,c口是对内的,e口是对外的。我曾经就遇到这个原因sdram不行的。

这个版主不太冷 =========================== 我的中电网博客:http://blog.chinaecnet.com/u/20/index.htm
哦,是这样子啊,由于板子定住了,我把E口的输出用连线引到一个IO口,然后在内部又连给了sdram的clk,可是还是没有成功,我再弄弄吧
楼上前辈,在示波器上看到的波形是不是也是那种不规则正弦波模样?
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"楼上前辈,在示波器上看到的波形是不是也是那种不规则正弦波模样?"

通过e口出来的是规则的三角波像这样的“/\/\/\/\/\/\....”波形比c口出来的好很多!

这个版主不太冷 =========================== 我的中电网博客:http://blog.chinaecnet.com/u/20/index.htm
嗯,差不多就是这个样子,谢谢
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我觉得可能不是这个设置的问题,有可能是你的硬件布线有问题。
在交流中前进,共同实现nios的应用。

多谢提醒,也许是这个原因,我下次改板时注意一下
我现在的板子是双面板,信号线全在顶层,底层是地平面,线宽12mil,线距10mil
下次我想用10mil或8mil的线,因为器件较多,板子不能布太大
楼上前辈能不能给些SDRAM布线的建议呢?

[此贴子已经被作者于2007-9-11 9:30:03编辑过]

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我用PLL的C1口输出作SDRAM的时钟,-70度相移,50MHz下,在SDRAM中运行程序可以了啊.

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