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鳍式电晶体(FinFET)将成晶圆厂新角力战场。为卡位16/14奈米市场商机，台积、联电和格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)正倾力投资FinFET技术，并各自祭出供应链联合作战策略，预计将于2014～2015年陆续投入量产，让晶圆代工市场顿时硝烟弥漫。
FinFET制程将成晶圆厂新的角力战场。为卡位16/14奈米市场商机，并建立10奈米发展优势，台积电、联电和格罗方德正倾力投资FinFET技术，并已将开战时刻设定于2014?2015年；同时也各自祭出供应链联合作战策略，期抗衡英特尔和三星等IDM的规模优势，让整个晶圆代工市场顿时硝烟弥漫。
鳍式电晶体(FinFET)技术可有效控管电晶体闸极漏电流问题，并提高电子移动率，因而能大幅提升晶片运算效能同时降低功耗，现已成为全球晶圆厂迈向下一个制程节点的唯一途径。一线大厂正纷纷以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米FinFET量产脚步，抢先圈地市场商机。
其中，IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆预计在2014年以14奈米FinFET前段闸极结合20奈米后段金属导线(BEOL)制程的方式达成试量产目标；而台积电为提早至2015年跨入16奈米FinFET世代，初版方案亦可望采用类似的混搭技术，足见此设计方式已成为晶圆厂进入FinFET世代的共通策略。
缩短开发时程 晶圆厂竞逐FinFET混搭制程
由于各家厂商均将FinFET视为下一阶段的制程布局重点，且迈入16/14奈米的起跑点相当靠近，可望打破台积电在28奈米制程一支独秀的局面，使晶圆厂之间的竞争态势更加激烈且胶着。
联华电子市场行销处处长黄克勤表示，14或16奈米FinFET对晶圆代工厂而言系重大技术革新，无论是立体电晶体结构设计、材料掺杂比例、温度和物理特性掌握的难度均大幅攀升；尤其在BEOL方面，要在短时间内将金属导线制程微缩至1x奈米的密度相当不容易，因此各家晶圆厂遂计划在晶圆前段闸极制程(FEOL)先一步导入FinFET，并沿用20奈米BEOL方案，以缩短开发时程和减轻投资负担。
其中，联电、格罗方德和三星已先后在2012年与IBM签订14奈米FinFET合作计划，并分别预定于2014年底~2015年，以14奈米FinFET FEOL混搭20奈米MEOL/BEOL的方式导入量产。
黄克勤认为，混搭方案将是推进半导体制程提早1年演进到1x奈米FinFET的关键布局，不仅能加速设计与测试流程，亦有助控制成本，预估晶圆代工业者初期都将采用此一架构，待技术日益成熟后才会全面升级为纯16或14奈米制程。现阶段，联电已授权引进IBM在半导体材料研究方面的Know-how与技术支援，将用来优化自行研发的14和20奈米混搭制程，将于2015年正式投产。
格罗方德全球业务行销暨设计品质执行副总裁Mike Noonen也强调，该公司将于2014年底抢先业界推出14nm-XM制程，可充分利用现有20奈米设备和技术资源，降低FinFET研发和制造成本，并简化客户新一代处理器的设计难度，尽速实现以立体电晶体结构减轻闸极漏电流的目标，进而延伸摩尔定律(Moore's Law)至新境界。
此外，台积电近期也宣布2014年量产20奈米后，将提前1年至2015年发表16奈米FinFET制程，业界也预估其第一个量产版本将导入20奈米BEOL混搭方案，才能顺利在短短1年内实现16奈米。由此可见，一线晶圆代工业者在挺进FinFET领域的时间和成本压力下，采用混搭结构已成为一门显学。
除了与同业互尬FinFET制程量产速度外，台积电亦考量纯晶圆代工厂进入高投资、高技术门槛的FinFET世代后，与整合元件制造商(IDM)的竞争将更为激烈，因此正积极筹组大联盟(Grand Alliance)，串连矽智财(IP)、半导体设备/材料，以及电子设计自动化(EDA)供应商等合作夥伴的力量，强化其在FinFET市场的竞争力。 |
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