东芝推出低高度封装轨到轨输出栅极驱动光电耦合器 耦合器, 东芝, 光电

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东芝推出采用低高度SO6L封装的轨到轨输出栅极驱动光电耦合器，用于直接驱动中低等功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)及功率金属氧化物半导体场效应晶体管(power MOSFET)。量产出货即日启动。

新款光电耦合器包括用于驱动小功率IGBT的“TLP5751”和用于驱动中等功率IGBT的“TLP5752”及“TLP5754”，它们均采用低高度SO6L封装。与采用DIP8封装的东芝产品相比，新产品的高度仅为前者的54%，安装面积仅为前者的43%，有助于开发更纤薄小巧的装置。尽管高度较低，但新产品依然保证了8mm的爬电距离和5kV的绝缘电压，适用于对绝缘规格要求较高的应用。

电气特性方面，新款光电耦合器拥有轨到轨输出，在满摆幅输出状态下可通过扩大操作电压范围来实现更高的效率。新产品提供1A、2.5A和4A三种输出电流，以满足广泛的用户需求。新产品还内置东芝独创的高功率红外LED，适用于多种应用，包括需要高度热稳定性的应用，例如工厂自动化、家用光电电力系统、数字化家用电器和不间断电源(UPS)。

新产品主要规格
产品型号	TLP5751	TLP5752	TLP5754
峰值输出电流	±1.0A	±2.5A	±4.0A
供电电压	15~30V
电源电流	3mA  （最大值）
阈值输入电流	4mA  （最大值）
传播延迟时间	150ns  （最大值）
传播延迟偏差	80ns  （最大值）
轨到轨输出	预装
VUVLO功能	预装
爬电距离	8mm  （最小值）
绝缘电压	5000Vrms  （最小值）
共模瞬态抗扰度	±35  kV/μsec
工作温度范围	-40~110  oC
适用功率设备	低功率	中等功率	中等功率
	IGBT（最高	IGBT（最高	IGBT（最高
	20A级）和	80A级）和	100A级）和
	功率MOSFET	功率MOSFET	功率 MOSFET