美高森美推出新系列宽带塑封和裸片GaAs MMIC器件 买芯片, BOM2BUY

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美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 推出新系列宽带塑封和单片微波集成电路(MMIC)器件。新产品扩充了不断增长的高性能宽带MMIC产品组合，包括四个塑封低噪声放大器(LNA)MMA040PP5、MMA041PP5、MMA043PP4和MMA044PP3；一个宽带功率放大器(PA)芯片MMA053AA；以及两个塑封开关MMS006PP3和MMS008PP3。新的MMIC产品已于6月6至8日在作为微波周2017的一部分的夏威夷火奴鲁鲁IEEE国际微波研讨会(IMS2017)上展示。


新封装的放大器包括两个新的分布式LNA(MMA040PP5和MMA041PP5)，在从DC至27GHz的更宽频率的表现优于竞争器件，具有17 dB的更高增益，OIP3为35 dBm。这些器件封装在小型5mm塑料QFN封装中，是尺寸受限应用的理想选择。另外两个宽带LNA(MMA043PP4和MMA044PP3)可提供从0.5至18GHz的极低噪声系数(NF)，典型NF低于2dB，且带缘不超过2.5dB。


与竞争器件相比，两个新的宽带GaAs开关(MMS006PP3和MMS008PPS)改善了从DC至20GHz较宽频率范围的插入损耗和隔离特性。这些器件采用3mm塑料QFN封装，是满足尺寸受限应用高性能要求的理想选择。这些器件仅需要最少的片外控制逻辑，可简化系统级集成。


新发布的宽带PA芯片(MMA053AA)从DC至8GHz可保持17dB的平坦增益和35dBm的高OIP3，超过了竞争器件的性能。凭借具有竞争力的定价，客户可以利用所有这些器件的领先性能，以最小的DC功耗满足苛刻系统和模块布局要求。


美高森美射频/微波分立产品事业部战略营销总监Kevin Harrington表示：“我们推出各种新产品，代表美高森美在加强MMIC产品组合方面的重大投资，同时继续满足客户的总体要求。我们将继续投资并扩大尖端MMIC器件产品组合，我们致力于成为一家为客户提供卓越性能MMIC产品，并且值得长远信赖的供应商。”


美高森美的新MMIC宽带LNA、分布式宽带MMIC功率放大器和宽带MMIC开关非常适合航空航天、国防和工业市场的各种前端信号链应用，包括测试与测量、电子战(EW)/电子对抗/电子反对抗、高线性微波无线电和无人驾驶飞行器(UAV)及其他军事通信应用。全球市场研究和咨询公司Strategy Analytics估计，到2019年，GaAs MMIC在EW、雷达和微波通信市场的销售额将达5亿美元。


新MMIC器件的主要特性包括：

MMS006PP3开关 · 3x3 mm QFN塑封DC-20 GHz单刀双掷(SPDT)开关 · 评估板：MMS006PP3E	MMS008PP3开关 · 3x3 mm QFN塑封DC-8GHz单刀四掷(SP4T)开关 · 评估板：MMS008PP3E	MMA040PP5 LNA · 5x5 mm QFN塑封DC-27 GHz分布式LNA · 评估板：MMA040PP5E
MMA041PP5 LNA · 5x5 mm QFN塑封DC-25GHz分布式LNA · 评估板：MMA041PP5E	MMA043PP4 LNA · 4x4 mm QFN塑封0.5至12 GHz宽带LNA · 评估板：MMA043PP4E	MMA044PP3 LNA · 3x3 mm QFN塑封6至18 GHz LNA · 评估板：MMA044PP3E
MMA053AAPA · DC-8 GHz分布式PA芯片

作为MMIC产品的领导者，美高森美不断扩大其产品组合，覆盖DC至65 GHz频率范围，并瞄准广泛的应用，包括电子战、雷达、测试和测量仪器仪表，以及微波通信。这些新产品建立在高性能宽带MMIC放大器、控制产品、预分频器，以及相位频率检测器等不断增加的产品组合基础之上，伴随进一步加强美高森美MMIC产品的未来高性能产品开发计划，能够确保客户满足非常专门和复杂的MMIC要求。


产品供货

美高森美的新系列MMIC器件包括四个宽带LNA(MMA040PP5、MMA041PP5、MMA043PP4和MMA044PP3)、一个分布式宽带PA芯片(MMA053AA)和两个塑封开关(MMS006PP3和MMS008PP3)，均已提供样品。欲了解更多信息，请访问买芯片网（www.Bom2Buy.com），一键BOM上传，快速估价，准确询价。买芯片全球首家电子元器件批量现货一站式芯片采购！
关于美高森美的射频/微波产品组合



美高森美为航空航天和国防、通信和工业应用提供业界领先的RF和微波解决方案组合。美高森美的产品组合包括Forever MMIC、PIN二极管、变容二极管、RF肖特基二极管、超低功耗无线电、Wi-Fi前端模块、射频 GaN晶体管、工业射频、科学和医疗(ISM)垂直扩散金属氧化物半导体晶体管(VDMOS)等等。