适用于车载、工业设备的高可靠性DRAM系列产品阵容新增128M/256M bit SDRAM 可靠性, 产品, 工业

porereading

～同时降低辐射噪声与系统成本～
ROHM集团旗下的LAPISSemiconductor，作为高可靠性DRAM系列产品，新开发出搭载输出驱动能力调节功能的128Mbit SDRAM“MD56V72160C”/256M bit SDRAM“MD56V82160A”。本LSI搭载了4级输出驱动能力调节功能，可根据用户系统调节电流驱动能力，降低辐射噪声，从而可减少噪声对策零部件与阻尼电阻元件的数量。另外，引线框架采用焊接连接可靠性更高的铜(Cu)框架，因此，还非常适用于车载设备等要求高可靠性的用途。本产品的样品已经在售，计划从2014年3月份开始以月产100万个的规模开始量产销售。

＜背景＞
在中小容量SDRAM的用途之一车载设备系统中，工作时发生的辐射噪声会对高频段等产生影响，因此，对于提升系统品质来说，降低辐射噪声成为重要课题。LAPISSemiconductor着眼于该课题，为降低SDRAM工作时产生的辐射噪声，改善阻抗匹配的读取数据输出波形的特性，早在以往产品16Mbit /64M bit SDRAM上就开始搭载按3级改变读取数据输出时的电流驱动能力的输出驱动能力调节功能。该功能在车载领域获得极高好评，为扩大在需要更大容量SDRAM的用途中的应用范围，LAPISSemiconductor开发了128Mbit 、256M bitSDRAM。

另外，DRAM的主流产品逐渐向大容量、高速化的DDR2/DDR3-SDRAM发展，中小容量SDRAM的供应越来越不稳定。LAPISSemiconductor将中小容量的SDRAM定位为传统DRAM注1，作为唯一可长期供货的日本国内制造商，不仅面向车载用途市场，而且面向更广阔的工业设备市场，正在不断完善产品的产品阵容。

＜新产品详情＞

1．搭载输出驱动能力调节功能
为降低SDRAM工作时产生的辐射噪声，改善阻抗匹配的读取数据输出波形的特性，搭载变更读取数据输出时的电流驱动能力的输出驱动能力调节功能。通过扩展模式寄存器配置可设定4级驱动能力。

本功能有助于实现适合用户系统的电流驱动能力优化、降低辐射噪声、减少辐射噪声对策零部件数量。另外，可按出货时固定规格的驱动能力设定供货，即使使用已有的SDRAM控制器无需配置扩展模式寄存器，即可使用最佳的输出驱动能力设定的产品。

2．采用铜引线框架
为满足车载设备领域的与PCB板之间的高可靠性焊接连接性的要求，本产品采用连接可靠性优异的铜(Cu)引线框架。与以往的42合金引线框架相比，其与PCB板的热膨胀系数更相近，因此，提高了焊接连接可靠性，满足了汽车厂家要求的PCB板贴装状态下的热膨胀循环标准。另外，还同时抑制了锡晶须不良的发生。

3．满足车载品质
为实现高品质，支持定制符合客户要求品质的测试工序。

4．芯片销售遵循KGD(KnownGood Die)保证
从晶圆级保证与封装产品同等的品质，通过与客户的使用方法相匹配的测试工序，提供高品质的芯片产品。

LAPIS Semiconductor今后也会以不断推出客户放心使用的高可靠性SDRAM产品并长期稳定供应为目标，进一步推出256Mbit DDR1、512Mbit DDR2，不断扩充传统DRAM注1产品的阵容。

【销售计划】
・产品名
：MD56V72160C/ MD56V82160A
・包装形态
：托盘1080个
・样品出售时间
：样品出售中
・样品价格（参考）：MD56V72160C
360日元（不含税）　
MD56V82160A
520日元（不含税）
・量产出售计划
：2014年3月开始

【产品概要/特点】
・规格　　
：满足JEDEC标准规格
・存储器结构
：4BANK×2,097,152 WORD×16 BIT (MD56V72160C)
4 BANK×4,194,304 WORD×16 BIT (MD56V82160A)
・地址大小
：4,096行 × 512列(MD56V72160C)
  8,192行× 512列(MD56V82160A)
・工作频率
：166MHz(max.)
・接口
：LVTTL兼容
・功能
：通用SDRAM指令接口
・电源电压
：3.3V±0.3V
・工作温度范围
：0℃
～
＋70℃ / －40℃
～
＋85℃

・刷新
：自动刷新时　4,096次/64msec(MD56V72160C)
8,192次/64msec(MD56V82160A)


自刷新　
・消耗电流(Typ.)  ：工作时(166MHz)   100mA (MD56V72160C)
150mA (MD56V82160A)
待机时(动态待机时) 50mA(MD56V72160C)
             65mA(MD56V82160A)
关机时           3mA
・封装
：54PinTSOP
铜引线框架、满足RoHS指令、无铅、无卤



【术语解说】

注1　传统DRAM
DRAM市场随着电脑和手机的高性能化发展，主流产品逐渐转变为大容量、高速DRAM，中小容量DRAM的供应厂家日益减少。然而，消费电子设备和车载设备等产品中，从噪声设计角度等出发，适用中小容量、中速DRAM的应用大量存在。另外，通信设备和工业设备等生命周期较长的产品中，从控制器变更等设计变更较难或想控制设计变更费用等角度出发，存在希望继续使用中小容量DRAM的需求。LAPISSemiconductor将这些中小容量DRAM定位为“传统DRAM”，不断开发满足车载市场和工业设备市场需求的高可靠性新产品，以进一步扩充传统DRAM的产品阵容，为客户提供长期稳定供应。