l 注：如果第一次修改后编译没有在processor.h中出错，而在examples目录出错，认真检查以上修改（修改的内容不正确），并在examples目录中运行touch命令（不运行touch还会出错，可能uboot Makefile没有写好,没查原因），再编译。
生成最基本的u-boot, 没有功能，只能起动
l 修改程序连接地址：
在board/s3c2410中有一个config.mk文件，用于设置程序连接的起始地址，因为会在u-boot中增加功能，所以留下6M的空间，修改33F80000为33A00000。
l 为了以后能用uboot的GO命令执行修改过的用loadb或tftp下载的u-boot：在board/s3c2410的memsetup.S中标记符”0:”上加入五句：
l mov r3, pc
l ldr r4, =0x3FFF0000
l and r3, r3, r4 //以上三句得到实际起动的内存地址
l aad r0, r0, r3 //用GO命令调试uboot时，启动地址在RAM
l add r2, r2, r3 //把初始化内存信息的地址，加上实际起动地址
u 0标记符0, 原来存在的标记符)
l 用SJF软件通过jtag口下载编译的u-boot, 启动！读取环境块时CRC出错,然后进入SMDK#。
l 把MIZI vivi中的PrintHexWord, PrintWord拷过来， 这样可以在调试汇编时可以打印一些信息，但其中有的PrintHexNibble中有缺陷，ldr r0, [r2, r0] 应改为ldrb r0, [r2, r0]，这样可以在四字节对齐的系统中使用。
INTEL nor flash操作功能
l INTEL 的28F128，在board目录中找到CMI主板有此FLASH，把cmi中flash.c拷到s3c2410目录代换原来的flash.c。
l cmi中的flash.c在写入时要交换字节，所以删除它的write_short()和wirte_buff()函数，把ep7312主板目录中flash.c的wirte_word()和wirite_buff()函数复制过来。把flash.c中的FLASH_BASE0_PRELIM改为CFG_FLASH_BASE。把FLASH_BLOCK_SIZE改为0x20000，（E28F128J3A flash中块的大小是128K）。
l 把s3c2410.h中的flash内容由原来的：
1. #define PHYS_FLASH_1 0x00000000 /* Flash Bank #1 */
2. #define CFG_FLASH_BASE PHYS_FLASH_1
3. #define CONFIG_AMD_LV400 1
4. #if 0
5. #define CONFIG_AMD_LV800 1
6. #endif 7. #define CFG_MAX_FLASH_BANKS 1 /* max number of memory banks */
8. #ifdef CONFIG_AMD_LV800
9. #define PHYS_FLASH_SIZE 0x00100000 /* 1MB */
10. #define CFG_MAX_FLASH_SECT (19) /* max number of sectors on one chip */
11. #define CFG_ENV_ADDR (CFG_FLASH_BASE + 0x0F0000) /* addr of environment */
12. #endif
13. #ifdef CONFIG_AMD_LV400
14. #define PHYS_FLASH_SIZE 0x00080000 /* 512KB */
15. #define CFG_MAX_FLASH_SECT (11) /* max number of sectors on one chip */
16. #define CFG_ENV_ADDR (CFG_FLASH_BASE + 0x070000)
改为：
1. #define PHYS_FLASH_1 0x00000000 /* Flash Bank #1 */
2. #define PHYS_FLASH_SIZE 0x01000000 /* 16 MB */
3. ##define CFG_FLASH_PROTECTION
4. define CFG_FLASH_BASE PHYS_FLASH_1
5. #define CFG_MONITOR_BASE PHYS_FLASH_1
6. #define CFG_MAX_FLASH_BANKS 1/* max number of memory banks */
7. #define CFG_MAX_FLASH_SECT 128/* max number of sectors on one chip */
8. #define CFG_FLASH_ERASE_TOUT (2*CFG_HZ) /* Timeout for Flash Erase */
9. #define CFG_FLASH_WRITE_TOUT (2*CFG_HZ) /* Timeout for Flash Write */
10. #define CFG_ENV_IS_IN_FLASH 1
11. #define CFG_ENV_ADDR (PHYS_FLASH_1 + 0x60000)
12. #define CFG_ENV_SIZE 0x20000 /* Total Size of Environment Sector */
l 把cmd_mem.c中的cmd_get_data_size函数的default_size全改为1, 默认以字节显示，更直观，并且不会出现地址对齐错（data abort）。而在do_mem_mw()及mod_mem()中加入：
if(addr2info(addr) != NULL)
{
printf(“can’t wirte or modify in flash! Use cp instead.\n”);
return 0;
}
以使mw和mm命令不能修改flash中的数据，而只开放cp修改flash中的数据。
l 改board/s3c2410/flash.c中的flash_erase()，把start = get_timer(0)移到for(), 以去掉flash_erase timeout 错误。
设置FLASH和SDRAM时序
根据28F128J3A-150，这是一150ns的flash, 所以把flash时序设为最慢。把s3c2410设成202.8MHZ, 并且工作在异步模式, 修改memsetup.S。
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