关于用ADS编译S3C44B0X开发板BOOTLOADER的问题 ADS, BOOTLOADER, 编译, 开发

zjfjoe

手头有块三星S3C44B0X开发板，硬件配置是网上最常见的那种，nGcs0接SST39VF1601，nGcs6接HY57V641620。

这两天在看BOOTLOADER，发现一个问题，百思不得其解。

问题描述：

同一个BOOTLOADER程序，在ADS1.2中设置ARM Linker参数为以下两种情况：

情况1：RO BASE 设 0x0000000   RW BASE 设 0xc100000  Image entry point 设 0x0000000

情况2：RO BASE 设 0xc000000   RW BASE 设 0xc100000  Image entry point 设 0xc000000

以上2种情况都能通过编译，将hex文件烧写到Flash中后发现程序运行速度差异很大，情况1很慢，情况2很快。

尤其是执行延迟循环时更加明显，从超级终端看，情况1时CPU执行循环的时间相对于情况2而言长了很多，害我当初以为情况1时是程序跑飞了，后来将循环次数减少，发现程序可以正常运行。

请高手帮我看看这是什么原因造成的？也许这只是一个小问题，可我还不是很清楚，望高手赐教，在此谢过！

linuxarm

入口地址是0xc...意思是程序在SDRAM中跑，当然比flash ROM中快了.

zjfjoe

QUOTE:

以下是引用linuxarm在2006-10-31 13:54:00的发言：
入口地址是0xc...意思是程序在SDRAM中跑，当然比flash ROM中快了.

这个我知道，可是44B0X复位后是从0x0地址开始运行，而且程序也是烧写在flash内，BOOTLOADER只是将RW与ZI数据段拷贝到SDRAM中，RO段数据应该还在flash内啊，程序怎么能在SDRAM中跑呢？

linuxarm

你肯定bootloader没有copy RO段到SDRAM中？

zjfjoe

没有，BOOTLOADER程序我仔细看过了

况且44B0X也不支持mmu啊