| Flash做为一种非易失性存储器，在原理、技术和结构上，与ROM、PROM、EPROM和EEPROM存储器有显著的不同。它是一种可快速擦除可现场编程的快擦写存储器。这种特性决定了Flash做为BIOS、在线擦写、掉电保护数据以及分区保护数据等场合有着广泛的应用。
Flash存储器特点
由于其内部结构的特殊性，Flash存储器最主要的特点在于其内部状态机（Internal State Machine）及指令序列（Command Sequences）的操作模式，因此Flash需要较复杂的软件支持。
除了读取数据（Read Array Data）以外的其它所有操作，如生产商ID（Manufacture ID）及器件ID（Device ID）识别，分区写保护（Sector Protection）/去写保护（Sector Unprotection），擦除（chip erase/sector erase），写数据/校验，复位等操作都需要通过器件内部的指令寄存器（Command Register）启动内嵌算法（embeded algorithms）来完成。
BCS / SCS
Intel从早期的8位闪存芯片28F008开始，就为闪存芯片的操作定义了操作规程和一套相应的命令，一般就称为“28F008”或者“008”。后来正式命名为闪存操作基本命令集，即BCS，其要点如下：
闪存芯片平时处于随机读出状态，此时的闪存芯片就像普通的ROM芯片，访问地址决定了具体的存储单元；
除非芯片处于写入状态，往芯片任意一个单元写都意味着向芯片发命令，因此是对其控制器的访问，而不是对其存储单元的访问；
根据命令代码的不同，闪存芯片内部的状态机进入不同的状态，从而可以进行不同的操作。
BCS中有以下几条命令：
随机读出（Read Array）。向芯片的任意地址写0xff，使芯片“复位”进入“读存储阵列” 状态，在此状态下CPU可以想访问普通内存那样从闪存芯片随机读出。闪存芯片加电后的初始状态就是随机读出状态。
读状态寄存器（Read Status Register）。 向芯片的任意地址写0x70，表示要求从芯片读出其状态寄存器，此后可以从芯片的任意地址读出状态寄存器的内容。
写入（Program）,要求写入芯片的若干存储单元。往目标块起始地址写0x40，表示要求进入写模式，或者称为“编程模式”。进入写模式后，就可以对目标块进行随机写入，就像写静态RAM一样。对每个单元只能写一次（要再次对某单元写入，需要先对该单元所在的块进行擦除操作后，才能再进行）。
清除状态寄存器（Clear Status Register）。向芯片的任意地址写0x50，表示要求清除状态寄存器。
单字节或者字写入。先向需要写入的单元写入0x40或0x10，然后写入具体数据。
成块擦除（Block Erase）。向目标块内任意地址写0x20（或者0x28），表示要求擦除芯片内一个块的所有内容。
暂停擦除（Erase Suspends）。向目标块内任意地址写0xb0，表示要求暂停擦除操作。需要时，可以通过往目标块内的任意地址写0xd0来恢复擦除
成块擦除确认，或者继续擦除。往目标块内的任意地址写0xd0，表示确认要求擦除芯片内一个块的所有内容，或者在暂停擦除后恢复擦除操作。
每当向芯片发出命令时，状态寄存器的最高位（bit 7）就会变成0，当操作完成后，该bit会被硬件置为1。
随着闪存技术的发展，Intel后来对BCS进行了扩展，称为SCS（Scaleable Command Set），即“可扩充命令集”。其中增加了芯片加锁（Set/Clear Lock Bit）、缓冲写入。芯片配置、整片擦除操作等命令功能。
上面BCS和SCS描述的操作只适用于Intel的闪存芯片，或者使用Intel BCS/SCS规范的芯片。 | 
