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在Flash应用产品中,因高、低容量产品各有其市场,故即使技术水准大幅落后的厂商,只要有利基产品,也能在毛利较低的低阶产品有所发挥,不会像DRAM产品,一但技术水准大幅落后,就要面临钜额亏损并退出市场。就市场规模来看,虽然依iSuppli的调查,2004年全球NAND Flash市场规模达63亿美元,年增率逾50%,尚不如NOR Flash的市场(但市场规模高达96亿美元,年增率29%)。但值得注意的是,同样颇具公信力的产业研调机构IC Insights指出,NOR Flash市场规模在今年将会衰退14%,降至79亿美元;反之NAND Flash则可望续扬25%,市场规模达81亿美元。由此不难嗅出NAND Flash的成长后劲。
NAND Flash成长后劲强
相对于DRAM的成长趋缓,价格也数度探底,Flash在记忆体的围场中则相对表现不凡,甚至有供不应求的现象;Flash界元老级大厂M-Systems(亚洲艾蒙系统),对此又有怎样的体认?M-Systems指出,NAND Flash的主要趋力乃来自于对手持式和MP3市场需求的爆发性成长,和记忆卡一样,不论在数量及容量上都将突飞猛进。在需求如此高涨而强劲的情况下,即使在供应面陆续加入不少的Game Player,如:ST、Hynix和Micron等,仍无损该产业的前景;因为,这块市场大饼变大了!
M-Systems的行销暨业务部协理朱斐绢表示,NAND FLASH出现于1980年代末期,最初由于成本甚高,仅为军方单位所采用;于1993、1994年之际,才迈入一般工业及产业应用(Industrial applications)阶段。直至十年后成本越趋合理化及NAND Flash适合储存大量资料的电子特性,渐渐被运用用于消费性电子产品如DSC、MP3等所需要的各式规格的小型记忆卡。但随着人们对手机、PDA及DSC等高移动性电子产品记忆容量需求的迅速攀升,导致NAND Flash也逐渐入侵NOR Flash的原有腹地;虽然NOR Flash较早为业界采用,但由于其成本较高及写入速度较慢的先天弱势,使其似乎仅能停留在注重执行速度,或小量资料储存系统应用的利基之地(如:电脑的BIOS设定、CD ROM、印表机、STB等)。
M-Systems并透露说,事实上,NAND的装置是走在摩尔定律之前,每年在容量上都有实质的倍增,其中很大一部分是得益于由与长期的合作伙伴Toshiba所共同研发的MLC(Multi-Level Cell,多层晶胞)技术,这对价格的降低和容量的提升助益良多。
快闪记忆体(Flash Memory)由EEPROM演化而来,但价格较便宜且位元密度较高;多用于PC Card记忆卡,主机板和Smart Card。近年来,随着写入速度、高容量及单位位元价格下降等因素考量,对声音、影像等资料(例如MP3)的嵌入式储存也成为快闪记忆体技术发展的另一主流。
嵌入式储存媒体当道
面对储存媒体的多元化发展,M-Systems则认为可分为两大趋势来谈:嵌入式和可移除式来谈,其中又以嵌入式Flash成长最快;这样的成长动力甚至迫使Microdrives(微硬碟)只能退居利基市场。FAE协理汪铭智则补充说,相较于微型硬碟,Flash具有下列规格优势:较耐撞击、原声杂讯较少、耗电较低、较无温度过热问题,最重要的是可靠性较佳;因为微硬碟在本质上仍是机械架构,须借重马达驱动碟片和读取头,不仅外观尺寸和成本问题居高不下,其耗电量和资料损毁的风险亦较高。
基于上述种种原因,即使微硬碟价格已大幅滑落,制造商仍被迫须固守一个底限价格才不致侵蚀成本,顶多只是在成本结构有所改良后,能让消费者以相同的价格,买到更大的容量;就现况来说,1~1.5Gb容量的仍多以NAND为优先,1.5Gb以上的才会考虑微硬碟。到了2006年,NAND的市场区间可能向上逼近至2Gb~5Gb,而与微硬碟的临界点将会落在4Gb左右。
NAND型快闪记忆体的应用除了内建在机器上,为了扩充及使用方便,亦有像软碟片一样可携带式的包装,也就是快闪记忆卡,如:Compact Flash、Smart Media、Multi Media Card、Memory Stick与Secure Digital等。然而,随着现代人对数位电子产品的依赖日深,对基本储存容量的需求亦快速地突飞猛进,因此,嵌入式Flash Memory的行情便跟着一片水涨船高。
M-Systems还提出一个有趣的观点:若从站在电信营运商的立场来思考,当然希望消费者能尽量利用移动装置的网路下载服务,如果手机的储存装置皆把重点放在可移除式的记忆卡,且并未和手机同时搭售的话,那么精明的消费者极有可能习惯性地以PC下载资料至记忆卡上,如此一来,将失去手机资料下载服务的推进力。再换个角度,若记忆卡采取和手机搭售的方式,又势必增加整体的BOM Cost;因此暂且不论消费者随时存取影音资料的行为模式已蔚为风气,恐怕营运商或手机厂对嵌入式记忆体的期待,更要来得殷切。故M-Systems认为,记忆卡将日渐走向「扩充」之途,与嵌入式记忆体不但无相互取代之虞,反能相互为用。
多媒体市场的蓬勃,对于各项大容量数位储存装置需求愈来愈大,尤其行动装置对体积小、价格低、成本低的储存装置需求更是强烈;以往受限于容量和成本,功能难以突破,而M-Systems的NAND技术乃模拟硬碟而来,称为EFD(Embedded Flash Drive),兼具机械硬碟灵活性的与Flash的可靠性。其和Toshiba有着长远的合作关系,早在1998年已可将controller、NAND和SRAM做到同一个裸片中(Single Die),随后于2002年所发表的合作成果--X2技术,顿使过去因储存技术而受限的行动装置影音功能,在容量及稳定性上有所提升。以往MLC NAND Flash虽然藉由电位组合增加传统二元NAND Flash储存空间,但仍有许多问题待改善,如电压准确性、连续写入、速度及效能表现受到影响等,有时甚至会造成系统不稳定导致资料流失,X2技术则可一举改善上述缺点。
EFD是针对手持式装置的储存媒体,可截长补短NOR Flash在执行面的优势,兼顾存取速度和高容量。NAND媒体原是为储存资料而设计,因此当常态加入controller之后,在成本缩减上有些差强人意之处;正规的CPU会不知如何去存取NAND,因为它无法主动执行程式码或开机,对于可靠度议题的处理亦感乏力。因此若要建构一个完善的嵌入式记忆体,必须在基本的NAND之外再加上一个支援所有处理器的NOR介面,和一些应付开机动作的XIP能力、侦错/电源管理、效能改善和安全控管等,才足以整合并最适化用作嵌入储存的媒体。 |
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