我在美信工作了四年（设计），知道他们是怎么做的：

设计

1）工艺：有纵向PNP的BiCMOS＋极低温度系数的高阻金属膜电阻
2）设计：有温度curvature补偿的BiCMOS Bandgap参考电源，3uA并不难做到，我曾做过1.5uA的LDO。
3）设计支持：非常好的model和很多种选择
4）基于统计学原理，对足量样品进行实验室验证和可靠性分析
4）圆片测试：激光修调，可以容易达到0.1%的精度
5) 封装后测试：封装后修调以纠正封装造成的失调。另外有可能加高低温测试。

由此可见，高性能的模拟芯片是半导体综合技术的全面体现，包括有效率的项目流程管理，并不是几个“设计牛人”可以搞定的。无论在软件和硬件上说，国内目前没有可能做出类似的商业化产品。就像国产的运十飞机无法上马一样，当愤青骂人是没用的。如果大家都把自己的专业精益求精，戒浮躁，会逐步赶上的。没有什么可神秘的，也没有绝招可使。

另外，楼上说的几项指标虽然很厉害，但不是LDO中最被看重的指标，更好像是电压基准源的指标。LDO的指标更被看重的是PSRR，噪声，输入输出压差，及动态稳定性。电压精确度没必要做到0.1%，温飘也没必要到10ppm。

但不排除美信钻某几个性能的牛角尖来“作秀”，其广告意义大于实用。

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