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我们经常要在电池供电的设备中使用一个定时自动关断电路，以延长电池的使用寿命。以前讲述此功能的设计实例都要用很多元器件(参考文献1至7)。图中的电路是一个没有静态电流的、简单的自动关断附加电路。
当按下按键开关时，C1通过低阻值电阻R2快速地充电到二极管D1的齐纳电压，而P沟道MOSFET Q1立即导通。当松开按键开关时，C1通过大阻值电阻R1缓慢地放电，时间常数为R1C1秒。
使用一只P沟道MOSFET的简单自动关断电路。
在此期间， C 1失去了其初始电压的63%—在延迟后从9V来到3V。参考文献8显示了Vishay SiliconixSi4435 的导通电阻与栅源电压关系。一旦栅源电压大于约3V，器件的导通电阻保持在小于0.1Ω，因此对于高达1A的负载电流，获得的压降小于0.1V。
9.1V的齐纳二极管D1使关断时间延迟与电池电压无关，确保了栅源电压不超过Q1的20V标称最大电压。因此，可以将此电路用于各种电池电压，唯一限制选择的因素是晶体管Q1的最大漏源电压。对于3.6V至9V的电池，D1和R1没有用处(去掉D1并短路R2)，必须采用经典方程T =-R1C1loge(3/VBAT)来计算时间延迟，如表所示。当电池电压低至1.5V时，就要换用低饱和电压的双极晶体管，并修改电路结构。
编辑注：由于没有快速关断的反馈，当C1缓慢放电到低于3V时，Q1要经过一个导通电阻逐渐升高的周期，这会临时性地增加在关断期间的功耗和发热。一定考虑到这个效应，Q1要适应于负载电流，并采用恰当的散热片。 |
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