首页 | 新闻 | 新品 | 文库 | 方案 | 视频 | 下载 | 商城 | 开发板 | 数据中心 | 座谈新版 | 培训 | 工具 | 博客 | 论坛 | 百科 | GEC | 活动 | 主题月 | 电子展
返回列表 回复 发帖

MSP430的FLASH信息区学习心得

MSP430的FLASH信息区学习心得

430单片机,一般具有内部的信息区,以便保存一些需要EEPROM才可保存的数据。
在论坛没有收到相关信息,就借用网上的,抛砖引玉,如果有什么问题,多多指正,一起掌握!
MSP430 FLASH型单片机的FLASH存储器模块根据不同的容量分为若干段,其中信息存储器SegmengA及SegmentB各有128字节,其他段有512字节。SegmentB的地址是:0x1000到0x107F,SegmentA的地址是:0x1080到0x10FF。其他段的地址根据容量不同,从0xFFFF开始,每512字节为一段进行分配。
FLASH存储器写入数据时,每一位只能由“1”变成“0”,不能由“0”变成“1“,因此,当我们有数据要保存到FLASH存储器时,要先对目标段进行整段擦除操作,擦除操作使的对应段FLASH存储器变成全“1”。下面是擦除FLASH段的子程序,配置好必要的寄存器后,向段中任意地址写入数据,及擦除一段。
复制代码
1.
2. void flash_clr(int *ptr)
3. {
4. _DINT(); //关中断
5. FCTL3 = 0x0A500; //* Lock = 0 开锁
6. FCTL1 = 0x0A502; //* Erase = 1 使能擦除
7. *((int *) ptr) = 0; //* 擦除段
8. }
9.
10. FLASH存储器可以按字节写入,也可以按字写入。
11. // 字节写入
12. void flash_write_int8(int8_t *ptr, int8_t value)
13. {
14. _DINT();
15. FCTL3 = 0x0A500; // Lock = 0 开锁
16. FCTL1 = 0x0A540; // Write = 1使能写入
17. *((int8_t *) ptr) = value; // 写入数据
18. }
19. // 字写入
20. void flash_write_int16(int16_t *ptr, int16_t value)
21. {
22. _DINT();
23. FCTL3 = 0x0A500; /* Lock = 0 */
24. FCTL1 = 0x0A540; /* Write = 1 */
25. *((int16_t *) ptr) = value; /* Program the flash */
26. }
27. FLASH存储器可以连续写入
28. // 按字节写入指定的数量的数据
29. void flash_memcpy(char *ptr, char *from, int len)
30. {
31. _DINT();
32. FCTL3 = 0x0A500; /* Lock = 0 */
33. FCTL1 = 0x0A540; /* Write = 1 */
34. while (len)
35. {
36. *ptr++ = *from++;
37. len--;
38. }
39. }
40.
41. 在我们的应用程序中可以将要保存的数据放在一个自定义的结构中,例如:
42. typedef struct Setup
43. {
44. float gain_ch0; // 0通道增益
45. float gain_ch1; // 1通道增益
46. float gain_ch2; // 2通道增益
47. …
48. char init_flag; //初始化标记,恒为0xAA;
49. }SETUP;
50.
51.
我们定义了一个SETUP结构,存放三个AD通道的增益,以及其他要掉电保存的信息,init_flag的作用是标志FLASH的参数是否已被正确初始化,当我们设置了FLASH参数后,将init_flag置一个固定值,例如设为0xAAh,在程序开始运行时,检查init_flag,当init_flag的值为0xAAh时,表明参数已被初始化。
使用FLASH参数:在程序中定义一个SETUP类型的指针变量,通过这个指针访问FLASH中的参数。例如:
复制代码
1.
2. #define SegmentA 0x1080
3. float temp;
4. SETUP *p_setup_flash = (SETUP *) SegmentA
5.
6. if(p_setup_flash-> init_flag == 0xAA)
7. {
8. temp = p_setup_flash->gain_ch0;
9. }
10.
修改FLASH信息:由于FLASH不能象RAM一样直接修改,可以将FLASH信息拷贝到RAM中,修改相应参数后,重新保存到FLASH存储器中,之前要先擦除FLASH存储区。例如:
复制代码
1.
2. SETUP *p_setup;
3. SETUP buf; // 临时变量
4. p_setup = (SETUP *) SegmentA // 指向FLASH
5. memcpy((char *) buf, (char *) p_setup_flash, sizeof(SETUP)); // 拷贝到RAM
6. p_setup = &buf; // 指向RAM
7. p_setup-> gain_ch0 = 1.02; // 修改参数
8. flash_memcpy((char *) p_setup_flash, (char *) buf, sizeof(SETUP)); // 拷贝到FLASH
返回列表