东芝推出100V低导通电阻N沟道功率MOSFET TK55S10N1
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东芝推出100V低导通电阻N沟道功率MOSFET TK55S10N1
东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)已推出一款100V的低导通电阻、低漏电型功率MOSFET。该产品采用最新的沟道MOS工艺打造,成为汽车专用系列中的最新成员。新产品“TK55S10N1”的导通电阻较低,搭载以最新的第八代沟道MOS工艺打造的“U-MOS VIII-H系列”芯片,并采用配以铜连接器的“DPAK+”封装。该产品主要适用于汽车应用,尤其是开关稳压器等需要高速开关的汽车应用。该产品现已推出样品,并计划于2013年4月投入量产。
| 极性
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| 产品型号
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| 漏极到源极电压
VDSS (V)
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| 漏极电流
ID (A)
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| 系列
| 通道号
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| TK55S10N1
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| 100
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| 55
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| U-MOS VIII-H
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| 主要特性
| 1.
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| 低导通电阻(VGS=10V)
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| RDS(ON) = 5.5mΩ(标准值)
| 2.
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| 低漏电电流IDSS=10μA(最大值)(VDS=额定电压)
| 3.
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| “DPAK+”封装,通过利用铜连接器实现低导通电阻。
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关于东芝
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