|
- UID
- 824598
|
今天来总结一下半导体二极管，虽然在大二的时候学过数字电路和模拟电路，我也只学了一点理论，一年多的动手实践，
告诉我学的这点东西远远不够用，所以作为一个大学生本着学以致用的思想，我就从它的分类与应用谈起：
半导体二极管根据实际的功能和应用电路的不同，被分为整流二极管，光敏二极管，发光二极管，开关二极管，稳压二极管
检波二极管和变容二极管等。
（1）整流二极管外壳采用金属壳，塑料壳或玻璃壳封装，它的用途是将交流电整成直流（有银色色环的一端为负极），
（2）检波二极管外壳采用玻璃或着陶瓷封装，我们利用检波二极管的单向导电性，把叠加在高频载波上的包络信号（低频信号）
检出来，它具有较高的检波效率和良好的频率特性。（主要用于检波电路中，有时也可用在小电流的整流电路中）
检波效率是检波二极管的重要参数，它是指检波二极管输出电路的电阻负载上电压与输入端正弦交流信号电压峰值之比的百分数
（3）稳压二极管是利用P-N结的反向击穿时电压基本上不变不随电流的变化而变化的特点来达到稳定的作用。它的外壳采用金属
壳，塑料壳或者玻璃壳封装，（有黑色圆环的一端为负极）。
注意：稳压二极管工作在反向偏压时，必须限制反向通过的电流，让它可以安全工作在反向击穿状态，如果反向电流过大，同样
也会造成稳压二极管的损坏。
（4）开关二极管通常采用玻璃或陶瓷外壳封装，利用半导体二极管的单向导电性对电路进行“开通”和“关断”，具有导通截止速度
快的特点，能满足高频和超高频电路的需求，是一种理想的无触点的电子开关，（外壳上有黑色色环的是负极）
注意：“开关时间”有开关二极管从截止到导通的时间为“开通时间”，反之为“反向恢复时间”两部分组成。
（5）变容二极管是利用P-N结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性半导体器件。在电路中起可变电容的作用，它因此
被广泛的用于超高频电路中的参量放大器，电子调谐器及倍频器等和微波电路中。
（外壳上带有银色色环标注的一端为负极）
注意：变容二极管工作在反偏压状态，其结电容就是耗尽层的电容，电容的大小除了与本身的结构和制造工艺外，主要与外加电
压有关，结电容随反向电压的增大而减小。
换一句话说变容二极管是一种压控变容器件，正常时工作在反向偏置状态，也就是负极上的电压大于正极上的电压，且反向偏压越大，结电容越小，在电路中可当作电容使用。
（6）发光二极管是利用正向偏置时P-N结两侧的多数载流子直接复合释放出的光能的发射器件，在正常工作时，处于正向偏置状
态，在正向电流达到一定值时就发光，
（7）光敏二极管又称为光电二极管，特点是当受到光照时，二极管反向阻抗会随之变化，在光照下反向阻值会由大变小。
（8）双向二极管（DIAC）是具有对称性的半导体器件，常用于触发晶闸管或用于过压保护，定时及移相电路中。
（9）快恢复二极管（FRD）是一种高速开关二极管，其开关特性好，反向恢复时间短，正向压降低，反向击穿电压较高，
主要用于开关电路，PWM电路及变频等电路。
特别应该注意的是这些二极管的电路符号有的可不相同，
下面来谈一下晶体二极管的主要特性：
（1）单向导电性。
（2）V-A特性。
（3）管压降：硅晶体二极管的管压降为0.6~0.7V左右，锗晶体二极管的管压降为0.2V左右。
晶体二极管的的主要参数：
（1）：最大整流电流，
（2）：反向电流。（它表示了晶体二极管的单向导电性的优劣，方向电流越小则说明晶体二极管的单向导电性越好）
普通二极管在反向击穿后会损坏，稳压二极管由于制造时与普通二极管在工艺上有所不同，故在反向击穿电流和电压
不超过稳压二极管的最大允许范围，稳压二极管便不会损坏，因此稳压二极管具有稳压作用。
谈一谈稳压二极管的主要参数：
（1）：稳压值。
（2）：最大稳定电流。
（3）：最大允许耗散功率。
在介绍一下如何判别稳压二极管的好坏：
用万用表的R*1K欧姆档检测稳压二极管的正反向电阻，不应该出现开路或短路的现象。对于一些稳压值较低的稳压
二极管，可以用万用表的红表笔搭其负极，黑表笔搭其正极测的一个较大的电阻。然后将万用表置于R*10K欧姆档。
此时检测的的电阻值会下降很多，即说明稳压二极管已处于击穿稳压状态，反之说明稳压二极管已经损坏。
这一检测是利用万用表内的电池使稳压二极管处于反向击穿状态，故其内阻下降许多。 |
|
