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1 LED发光原理
LED的实质性结构是半导体PN结，核心部分由P型半导体和N型半导体组成的晶片，在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层，称为PN结。其发光原理可以用PN结的能带结构来做解释。制作半导体发光二极管的半导体材料是重掺杂的，热平衡状态下的N区有很多迁移率很高的电子，P区有较多的迁移率较低的空穴。在常态下及PN结阻挡层的限制，二者不能发生自然复合，而当给PN结加以正向电压时，由于外加电场方向与势垒区的自建电场方向相反，因此势垒高度降低，势垒区宽度变窄，破坏了PN结动态平衡，产生少数载流子的电注入。空穴从P区注入N区，同样电子从N区注入到P区，注入的少数载流子将同该区的多数载流子复合，不断的将多余的能量以光的形式辐射出去。
2.2可见光谱
光是一定波长范围内的一种电磁辐射。电磁辐射的波长范围很广，最短的如宇宙射线，其波长只有千兆兆分之几米(10-14-10-15m)，最长的如交流电，其波长可达数千公里。在电磁辐射范围内，只有波长为380nm到780nm的电磁辐射能够引起人的视觉，这段波长叫做可见光谱，如图2-1所示。
图2-1 电磁辐射波谱
图2-1中所标数均以基本单位表示，即频率为赫兹(Hz)，波长为米(m)。由于使用上述单位时，波长的数值太大，有必要使用更小的单位来度量可见光谱的波长，由此采用了标准毫微米(又称纳米，符号为nm)，此处1nm=10-9m。人眼能起视觉反映的最长和最短波长780nm和380nm，它们分别处在光谱的红色端与紫色端。
在电磁辐射范围内，还有紫外线、x射线、γ射线以及红外线、无线电波等。可见光、紫外线和红外线是原子与分子的发光辐射，称为光学辐射。X射线、γ射线等是激发原子内部的电子所产生的辐射，称为核子辐射。电振动产生的电磁辐射称为无线电波。对于人来说，能为眼睛感受并产生视觉的光学辐射称为可见辐射；不能为眼睛感受，也不产生视觉的光学辐射称为不可见辐射。因而，光学辐射可进一步分为可见辐射和不可见辐射。来自外界的可见辐射刺激人的视觉器官，在脑中产生光、颜色、形状等视觉印象，而获得对外界的认识。不可见辐射刺激眼睛时不能产生视觉，而作用在皮肤上有时会产生其它感觉，如紫外线产生疼痛感觉，红外线产生灼热感觉。严格地说，只有那种能够被眼睛感觉到的、并产生视觉现象的辐射才是可见辐射或可见光，简称光。本文所指的光也就是这个定义上的光。
2.3 LED发光器件光度学参数的测量
相关光度学与辐射度学参数有：
1.光通量Φv(Luminous Flux)： 通过发光二极管的正向电流为规定值时，器件光学窗口发射的光通量。
2.发光强度Iv(Luminous Intensity)：光源在单位立体角内发射的光通量，可表示为IV=dΦ/dΩ。
3.相对光谱能量(功率)分布P( )(Relative Spectral Distributions)： 在光辐射波长范围内，各个波长的辐射能量分布情况。
4.峰值发射波长 p(Peak-emission Wavelength)：光谱辐射功率最大的值所对应的波长。
5.光谱半波宽Δ (Full Width Half Maximum，FWHM)：峰值发射波长的辐射功率的1/2所对应两波长的间隔。
2.3.1 LED光通量
在辐射度学上，LED辐射通量 E用来衡量发光二极管在单位时间内发射的总的电磁功率，单位是W(瓦)。它通常表示LED在空间4π度范围内，每秒钟所发出的功率。LED光源发射的辐射通量中能引起人眼视觉的那部分，称为光通量 V，单位是流明(lm)，与辐射通量的概念类似，它是LED光源向整个空间在单位时间内发射的能引起人眼视觉的辐射通量。但要考虑人眼对不同波长的可见光的光感觉是不同的，国际照明委员会(CIE)为人眼对不同波长单色光的灵敏度作了总结，在明视觉条件(亮度为3cd/m2以上)下，归结出人眼标准光度观测者光谱光效率函数V( )，它在555nm上有最大值，此时1W辐射通量等于683lm，如图2-2所示，其中V’( )为暗视觉条件(亮度为0.001cd/m2以下)下的光谱光视效率。
图2-2 明视觉和暗视觉条件下的光谱光效率函数
明视觉条件下，辐射量向光通量的转化表达式可以表示为：
（2-1）
暗视觉条件下，辐射量向光通量的转化表达式可以表示为：
（2-2）
通常的测量以明视觉条件作为测量条件，并且在LED的测量时，为了得到准确的测量结果，必须把LED发射的光辐射功率收集起来，并用合适的探测器(应具有CIE标准光度观测者光谱光效率函数的光谱响应)将它线性地转换成光电流，再通过定标确定被测量的大小[20]。
2.3.2 LED发光强度
发光强度的概念要求光源是一个点光源，或者要求光源的尺寸和探测器的面积与离光探测器的距离相比足够小，表示为IV =dΦC/dΩ，式中dΩ是点光源在某一方向上所张的立体角元如图2-3所示。
图2-3 点光源的发光强度
但是在LED测量的许多实际应用场合中，往往是测量距离不够长，光源的尺寸相对太大或者是LED与探测器表面构成的立体角太大，在这种近场条件下，并不能很地保证距离平方反比定律，实际发光强度的测量值随上述几个因素的不同而不同，从而严格地说并不能测量得到真正的LED的发光强度。
为了解决这个问题，使量测结果可通用比较，CIE推荐使用“平均发光强度”概念：照射在离LED一定距离处的光探测器上的光通量 V与由探测器构成的立体角的比值。其中立体角可将探测器的面积S除以测量距离d的平方计算得到，如图2-7所示。因而有如下表达式：
（2-3）
从物理上看，这里的平均发光强度的概念，不再与发光强度的概念关联得那么紧密，而更多地与光通量的测量和测量机构的设计有关。CIE关于近场条件下的LED测量，有两个推荐的标准条件：CIE标准条件A和CIE标准条件B。这两个条件都要求，所用的探测器有一个面积为1cm2(相应直径为11.3mm)的圆入射孔径[21]。
表2-1 CIE推荐的近场标准条件
CIE推荐 LED顶端到探测器的距离d 立体角 平面角(全角)
标准条件A 316mm 0.001sr 2o
标准条件B 100mm 0.01sr 6.5o
2.3.3 LED相对光谱能量分布P( )
发光二极管的相对光谱能量分布P( )表示在发光二极管的光辐射波长范围内，各个波长的辐射能量分布情况，通常在实际场合中用相对光谱能量分布来表示。如图2-4所示，表示各个不同颜色LED的相对光谱能量分布曲线。一般而言，LED发出的光辐射，往往由许多不同波长的光所组成，而且不同波长的光在其中所占的比例也不同。LED辐射能量随着波长变化而不同，绘成一条分布曲线——相对光谱能量分布曲线。当此曲线确定之后，器件的有关主波长、纯度等相关色度学参数亦随之而定。LED的光谱分布与制备所用化合物半导体种类、性质及PN结结构（外延层厚度、掺杂杂质）等有关，而与器件的几何形状、封装方式无关。图2-4绘出几种由不同化合物半导体及掺杂制得LED光谱响应曲线。
图2-4 LED光谱分布曲线
其中：
1.蓝色InGaN/GaN发光二极管，发光谱峰 p=460～465nm
2.绿色LED，发光谱峰 p=550nm
3.红色的LED，发光谱峰 p=680～700nm
4.红外LED，发光谱峰 p=910nm
5.硅光电二极管
2.3.4 LED的峰值波长 p和光谱半波宽Δ
LED相对光谱能量分布曲线的重要参数用峰值波长 p和光谱半波宽Δ 这两个参数表示。无论什么材料制成的LED，都有一个相对光辐射最强处，与之相对应有一个波长，此波长为峰值波长，它由半导体材料的带隙宽度或发光中心的能级位置决定。光谱半波宽Δ 定义为相对光谱能量分布曲线上，两个半极大值强度处对应的波长差，如图2-5所示，它标志着光谱纯度，同时也可以用来衡量半导体材料中对发光有贡献的能量状态离散度，LED的发光光谱的半宽度一般为30－100nm，光谱宽度窄意味着单色性好，发光颜色鲜明，清晰可见。
图2-5 光谱半波宽Δ
图2-1.bmp
图2-2.bmp
公式2-1 2-2.bmp
图2-3.bmp
表2-1.bmp
公式2-3.bmp
图2-4.bmp
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2010-11-13转于网友
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