恩智浦发布新一代超低饱和电压BISS双极晶体管 BISS, 饱和电压, 双极晶体管

juliguo

恩智浦半导体发布了最新一代低V_CEsat晶体管，与普通晶体管相比，其功率损耗可减少80%。恩智浦新型BISS（小信号击穿）晶体管具有超低饱和电压（1安培时低于60毫瓦）、高电路效率和更低的能源消耗，并能减少便携式电池供电产品（如笔记本电脑、PDA和数码相机）的发热量。先进的BISS双极晶体管还可用于需要低等效导通电阻的工业及汽车领域。