[求助]关于MC9S12DP256外扩RAM的硬件连接问题 RAM, 硬件, 求助

yjbmtc

版主，我现在用MC9S12DP256，想外扩一片64K×16bit的RAM，看了帮助手册上面的例子，对硬件连接还有疑惑，前面有关的帖子说应该在窗口0x8000-0xBFFF扩展，这样才能避免和已有的flash页面重合。
困惑1.看了AN2408文档上面的例子，发现第一个例子是将一个8K×8bit的RAM映射到0x4000-0x5FFF，而第二个例子是将两个8K×8bit的RAM映射到0x4000-0x7FFF。
这两个例子都是只用ADDR0-15作为地址线的硬件连接方法，这样的话是不是没有办法把地址映射到窗口0x8000-0xBFFF中，而且这样必定会与直接寻址的64K地址重合？
2.从第三个例子开始是讲述RAM映射到0x8000-0xBFFF，这次是一个128K×8bit的RAM,并且采用了XADDR中的若干根线参与了地址的选择。那么想问是不是如果采用0x8000-0xBFFF地址使用外扩RAM的话，必须要把XADDR作为地址选择的高位线使用？
3.还是与外扩的RAM大小有关系，大小超过了16K×8bit，就必须采用XADDR作为高位地址线，将RAM分成16K为一页的单位呢？？
我认为我要用的RAM芯片应该参照例子三进行设计，请版主和各位大侠判定一下行不行啊？？

strongchen

第一个问题：
虽然0x4000～0x7FFF是DP256的内部地址，但是可以通过MISC寄存器的ROMHM位进行控制，将其关闭，这样就变成外部空间。这适用于内部FLASH空间足够使用的应用中。

yjbmtc

谢谢强陈的回答，可是如果我需要保留0x4000～0x7FFF的地址存放程序代码，而又想扩64K的RAM，是不是应该利用XADDR的连接方式呢？？

strongchen

第二个问题：
如果你需要使用DP256的全部内部FLASH地址，那么外部扩展地址就只能选择在0x8000～0xBFFF的窗口地址区。窗口地址的寻找采用的是分页机制，每页的大小为16K。如果扩展空间大小超过了16K，就应该用XADDR地址线来寻址。

strongchen

第三个问题与第二个问题是一样的。但是要注意，8BIT的RAM与16BIT的RAM在地址线ADDR0的接法上是不一样的，因为S12的内部地址是以8BIT为一个地址单元的。

yjbmtc

这下彻底明白了，非常感谢强陈的耐心细致的解答！！