在二极管两端加一定大小的电压，如果二GRM155R71H221KA01D极管正极接电源正端，负极接电源负端(二极管外加正向电压)，则电路中存在电流，二极管呈现导通状态;如果二极管负极接电源正端，正极接电源负端(二极管外加反向电压).则电路中存在非常小的电流，二极管呈现截止状态。这种特性称为二极管的单向导电性。利用二极管的单向导电性可以判定二极管的好坏，二极管正向电阻与反向电阻相差越大，二极管特性越好，阻值相同或者相近则表明二极管已损坏。
二极管的伏安特性
二极管的伏安特性曲线是指二极管两端所加的电压大小与流经二极管的电流大小之间的关系曲线。如图1-11所示便是通过测试得到的二极管的伏安特性曲线，注意，为了使曲线清晰，横轴所代表的电压在U>O和UO和I<O两部分采用不同的单位。二极管伏安特性曲线分为正向特性曲线和反向特性曲线，且正反向导电性能差异很大。 正向特性
正向特性曲线起始部分(见图1-11中的OA段、OA段)变化很平缓，说明正向电压较小时，正向电流几乎为零，此时二极管处于不导通状态，这一部分称为正向特性的“死区”，相应的A(A，)点的电压称为死区电压(阈值电压)，其大小与材料和温度有关。图1-11中实线和虚线分别为硅材料和锗材料的伏安特性曲线，从图中可以看出，硅管的死区电压约为0.5 V，锗管的死区电压约为0.1V。当正向电压大于阈值电压后，电路的电流逐渐增大，二极管进入导通状态。当输入电压大于某值以后，电流急剧增大，二极管完全导通，这个电压值称为导通压降，硅管的导通压降为0.6～0.7V，锗管的导通压降为0.2—0.3V。
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