- Q1导通阶段
o 假设Q1在谐振过渡后的近零电压开启。当D-S电压几乎为零时,Q1在零电流开启。MOSFET和输出电感器中的电流斜升,准时达到由Q1决定的峰值电流。在Q1导通阶段,能量存储在输出中,并为输出电容器充电。在Q1导通阶段,Q1中的功耗是由MOSFET导通电阻决定的;开关损耗可以忽略不计。
- Q2导通阶段
o Q1迅速关闭,接着是一个很短时间的体二极管导通,这增加了可以忽略不计的功耗。接下来,Q2开启,存储在输出电感器中的能量被传送到负载和输出电容器。当电感器电流达到零时,同步MOSFET保持足够长的时间,在输出电感器中存储一些来自输出电容器的能量。电感器电流为负值。