MOS场效应管被静电击穿的几个原因 静电, 和源, 电磁场

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我们在实际电子产品设计调试过程中，经常会有这样的疑问，MOS场效应管为什么会被静电击穿?静电击穿是指击穿MOS场效应管G极的那层绝缘层吗?击穿就一定短路了吗?JFET场效应管静电击穿又是怎么回事?　　其实MOS场效应管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。
　　静电击穿有两种方式;
　　一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路;
　　二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。
　　现在的mos场效应管没有那么容易被击穿，尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二极管保护。vmos栅极电容大，感应不出高压。若是碰上3DO型的mos管冬天不带防静电环试试，基本上摸一个挂一个。
　　与干燥的北方不同，南方潮湿不易产生静电。还有就是现在大多数CMOS器件内部已经增加了IO口保护。但用手直接接触CMOS器件管脚不是好习惯。至少使管脚可焊性变差。