【求助】MC9S12DP512扩展外部RAM能写不能读 RAM, 求助

Hunter.Cheung

建工程时设的memory model是Banked。

.prm文件添加两行：
    ……
    Addr_CPLD = READ_WRITE 0x008000 TO 0x0080C0;
    ……
    EX_CPLD INTO Addr_CPLD;
    ……
compiler for HC12设置中添加了：-CpPPAGE=RUNTIME

主程序：
#pragma DATA_SEG __PPAGE_SEG EX_CPLD
unsigned int test[8];

#pragma DATA_SEG DEFAULT
unsigned int *p;
unsigned int q;

void MMC_Init(void)
{
  MODE = 0xA8;          /* Normal expanded mode,IVIS=1 */
  EBICTL = 0x01;        /* the E clock behaves as a bus control signal */
  MISC = 0x0f;          /* Stretch=1 cycle */
  PEAR = 0x04;          /* NECLK=0,RDWE=1 */
}

void main(void) {
  MMC_Init();
  EnableInterrupts;
  for(;;)
  {
     int i;
     _FEED_COP(); /* feeds the dog */
     test[0] = 0xA5;
      p = &test;
      q = *p;
    for(i = 0; i < 1000; i++){}    /*延时*/

  } /* loop forever */
  /* please make sure that you never leave main */
}

我用示波器看读写时序，为什么只看到有写时序的波形，没有读时序的波形呢？

Hunter.Cheung

自己顶起啊

strongchen

这样试试：
unsigned int __far *p;

可以单步走一下，看看读数时PPAGE寄存器是否改变。

Hunter.Cheung

这样试试：
unsigned int __far *p;

可以单步走一下，看看读数时PPAGE寄存器是否改变。
strongchen 发表于 2010-5-10 11:23

感谢版主的指点。按照您的办法我试了一下，发现PPAGE始终是0x20不变化，仍然没有读周期的波形。然后我猜想会不会是memory model有问题，就改成了Large，发现PPAGE可变了，在0和0x20两个值之间切换，读周期波形也出来了，而且compiler for HC12里面也不用设置-CpPPAGE=RUNTIME了。这是为什么呢？

另外经试验发现，在Large模式下，在CW4.5中，变量声明为“__far ”有写周期，否则没有；而在CW5.0中“__far ”可有可无，好奇怪。

strongchen

你把memory mode改为Large后，编译器自动把所有的地址变量都当作__far地址来处理了。

Hunter.Cheung

哦，明白了，多谢版主！不过我在Banked模式下始终没有测到读周期，很困惑呀。好在现在Large模式下可以，就这么用了，呵呵。

strongchen

BANKED MODE和LARGE MODE的区别在于，在LARGE MODE下，所有的地址都自动采用__far类型，即包含了PPAGE寄存器的处理；而在BANKED MODE下，地址是否采用__far类型，要根据用户的定义和声明来判断。