种高速缓存方案的实现方法 工作原理, 可靠性, 移动通信, 产品, 领域

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摘要：基于Altera公司的EP2SGX90FF1508C3N和NEC公司的UPD44165364AF5，提出了一种高速缓存方案。本设计采用可编程逻辑器件，灵活性高，可靠性强，可以根据用户的需要进行方便的扩展和升级。深入研究了QDRII SRAM的工作原理和时序原理，提出了比较可靠的读写状态机实现方案。硬件设计经过实际测试，达到了预期的指标，实现了43．2 Gb／s的数据吞吐速率，并且成功用于某产品中。
关键词：QDRII SRAM；高速缓存；时序图；状态机；FPGA

引言
在移动通信领域随着3G时代的到来和4G的发展，无线基站离不开高速率、高带宽和大动态的数据采集，采集下来的高速数据需要进行高速缓存、高速数据处理和传输。本文实现了一种基于FPGA和QDRII SDRAM高速缓存解决方案，并且经过实际验证，已成功应用于某产品中。

1 QDRII工作原理
QDR协议由存储器供应商Cypress、IDT、NEC、Renesas和Samsung公司组成的联盟共同发布，主要针对网络交换机、路由器和其他通信设备的应用。QDRII由两个独立的“读”和“写”端口组成，“读”和“写”端口有分别独立的数据输出和数据输入端口来支持相应的读写操作，并且读写端口分别为双倍数据速率端口。
QDRII SRAM提供了2字突发和4字突发结构。2字突发结构的DDR地址总线在前半个时钟周期允许读请求，后半个周期允许写请求。4字突发结构针对每一个读或写请求传输4个字，这样只需一个SDR的地址总线就能最大程度地利用数据带宽。以Cypress公司生产的CY7C1310V18为例，说明QDRII器件内部逻辑结构，如图1所示。

从结构图可以得出，QDRII SRAM的读(Q)、写(D)端口独立，共用地址总线(A)。为两对伪差分控制时钟。为读选通使能，为写选通使能。为字节使能信号，低电平有效。为低电平关闭QDRII内部DLL，CQ、为源同步时钟输出。
QDRII SDRAM的控制方式可以分为单时钟控制方式和双时钟控制方式。单时钟控制方式是读和写操作都由K、K时钟控制；而双时钟控制方式的写操作由K、K控制，但是读操作由C、决定。

4字节突发结构的写操作如图2所示。地址信号(SA)，写选通信号()和写入数据信号(D)的中心都与时钟K、的边沿对齐。在时钟K的上升沿若检测到写控制信号为低电平，则地址总线(SA)上的数据被锁存。在其之后的第二个时钟K的上升沿，设备锁存D上的第一个数据字，在接下来的的上升沿第二个数据字被锁存。第三个和第四个数据字在K、的上升沿数据被锁存，进而完成第一个周期的写操作。

4字节突发结构读操作如图3所示。在单时钟模式下，即读操作完全由时钟K、控制时，在时钟K的上升沿，当读选通信号为低电平时，读地址SA被锁存。在其之后的第二个时钟K的上升沿，设备锁存Q上的第一个数据字，在接下来的的上升沿锁存Q上第二个数据字。在之后的K、的上升沿锁存Q上的第三个和第4个数据字。读总线数据输出Q值在DDR模式下从存储器中输出时，与CQ、源同步时钟边沿对齐，此时完成一个完整的读操作。

2 QDRII SRAM读写状态机
在实际的应用系统中，为了让器件连续有效地工作，必须设计相应的控制程序来完成各种控制状态之间的转换，对于4字节突发QDRII器件，设计的读写状态机如图4所示。使QDRII在读写状态中自由跳转。

读／写状态机负责调节用户接口和物理接口之间的数据流。它根据保存在用户接口FIFO中的状态信号来判断是否向外部存储器器件发送读／写命令。用户重置控制信号每次都会将状态机恢复到INIT状态，此时存储器暂停运行，直到延迟校准状态机完成相应的延迟调整，使读通路数据与FPGA系统时钟中心对齐。校准操作完成的信号高电平有效，该输入将读／写状态机转换到空闲状态，以等候来自用户接口的读／写请求。在空闲状态，如果未向状态机发出任何控制命令，状态机将一直在此状态下循环。当有读或写请求并且读写的条件满足时，状态机将自动跳转到读或写状态。在写状态下，用户通过Avl_walt_request_wr发送写请求，控制器将从FIFO中取出写地址和数据值，并使外部写控制选通脉冲进入存储器器件。
在读状态下，用户通过Avl_wait_request_rd发送读请求，控制器从FIFO中取出读地址，并向存储器器件发送一个外部选通脉冲。读／写状态机持续监控用户接口FIFO状态信号，以确定是否存在待处理读／写请求。连续不断地并发读／写请求流将导致状态机只在读状态和写状态之间转换，以确保正确无误地将请求交替发送到外部存储器。一串只写请求将导致空闲状态和写状态轮流出现，同样，一串读请求也会在空闲状态和读状态问转换。

3 系统的硬件实现
本文实现的高速缓存系统是以FPGA和QDRII器件为核心的，FPGA采用Altera公司的Stratix II GX系列，具体型号为EP2SGX90FF1508C3N Stratix II系列芯片采用90 nm工艺，1．2 V内核电压供电，具有片上可编程电阻特性，简化了设计，容易实现阻抗匹配，提高了信号完整
性。QDRII采用NEC公司的UPD44165364AF5-E33EQ2-A，具有4字节突发结构，最高工作频率为300 MHz。FPGA与QDRII的接口如图5所示。

QDRII的控制时序十分复杂，为简化设计过程，增强系统的可靠性，可以采用IP核进行控制。IP核是一种预定义的并经过验证的复杂功能模块，可以方便地集成到系统中。
Altera公司的QDRII SDRAM Controller MegaCore可提供一些底层的时序控制，使得对QDRII的控制变得相对简单，IP核留给用户一些上层的Avalon通信接口，用户可以根据自己的需要对相应的状态引脚进行监控和编写驱动，实现对QDRII器件的操作。

4 实验设计及测试结果
用VHDL编写testbench，测试系统性能，设计原理如图6所示。设计数据源对QDRII进行写操作，再把读出来的数据与原始数据对比，最后给出测试结果。

进行速度测试，以300 MHz的速率进行读写，通过测试证明本系统能够稳定工作，测试结果如图7所示。

为了便于观察，选取几个固定地址，循环读取该地址的数据，用SignalTap对其进行实时采样，结果如图8所示。可以清晰地看出给定固定地址00004H后，发出读请求，在avl_data_read_valid有效时读取数据为AAAAFFFFAAAAFFFFAAH，与写入数据一致。

结语
本文通过深入分析QDRII的结构和工作原理，设计一种状态机，给出了一种基于FPGA的高速缓存方案。经过实验验证，QDRII可以稳定工作在300 MHz，使36位存储器接口的总流量达到43．2 Gb／s，具有实际应用价值，使各种数据密集型应用中的读／写能力得以提升。