首页 | 新闻 | 新品 | 文库 | 方案 | 视频 | 下载 | 商城 | 开发板 | 数据中心 | 座谈新版 | 培训 | 工具 | 博客 | 论坛 | 百科 | GEC | 活动 | 主题月 | 电子展
返回列表 回复 发帖

Xilinx DDR3控制器接口带宽利用率测试(二)

Xilinx DDR3控制器接口带宽利用率测试(二)

一.单Bank多行切换测试:
描述:单Bank内行切换时,每次打开一个Row,进行一次写操作以后,必须重新打开另外一个Row,才能进行该Row的写操作。两个Row打开操作有时间间隙要求,打开Row到写操作也有时间间隙要求。因此导致单Bank内行切换时,带宽利用率极低。图中每个写操作中8个数据有效,后8个数据无效。因此,在一个写操作所占用的时间内,有效时间仅有8ns,无效时间为60ns,导致总的带宽利用率仅为8/68=11.8%。


图2 单Bank多行切换时序图

二.两Bank不换行平滑过渡测试
描述:先在Bank0的同一个Row内连续写8次然后过渡到Bank1的同一个Row内连续写8次。可以在Bank0的写操作过程中打开Bank1的一个Row,而不影响Bank0的写操作。由于提前了足够的时间打开Bank1,那么等Bank0的写操作结束后,可以直接平滑的过渡到Bank1的写操作阶段,中间没有等待。在不考虑DDR3的定时充电对带宽的消耗,以及读写切换对带宽的消耗,这种工作模式的带宽利用率接近100%。这种应用模式很适合于数据的连续缓存,可以使带宽利用率最大化。


图3 两Bank不换行平滑过渡时序图

来源:技术无极-创意无限网易博客
记录学习中的点点滴滴,让每一天过的更加有意义!
返回列表