johdon23

首先谢谢luojun2005，按照你说的方法，程序运行正常了！

只是const INT8U P[18] 应该改为INT8U P[18]，因为const是定义FLASH的，而这里应该把数组定义到RAM中吧

也就是说将对FLASH读写的操作代码放到RAM中去执行。但是我不明白为什么会有这种情况出现，FLASH读写的特殊性在芯片的文档里有提到过吗？这算不算是CW的一个BUG呢？

strongchen

在对一个FLASH块进行擦写操作时，程序不能同时又在这个块中运行，这在数据手册中是有说明的。

fayefayehoo

《嵌入式系统--使用HCS12微控制器的设计与应用》

Flash在线编程时提供一下两种方案：

1 将擦除与写入程序放在不包含要擦/写区域的Flash块中，这样进行擦/写操作时，擦/写程序就可以直接在Flash中运行，不需要移到RAM中运行。

2 将擦除与写入程序放在包含要擦/写区域的Flash块中，这样进行擦/写操作时，擦/写程序不能直接在Flash中运行，需要移到RAM中运行。

我的问题是，对于XEP100系列的单片机，是不是在操作FLASH时也必须按以上方案来执行？

johdon23

但是我是把对FLASH操作的代码放在NON_BANKED块的，而要操作的FLASH地址(0xFA8800)与操作代码并不在同一个FLASH块啊!

fayefayehoo

这里的块应该是指BLOCK，不是指PAGE，不过不知道哪些PAGE是划分在BLOCK0,哪些是划分在BLOCK1中的，这个数据手册上我还没找到。

johdon23

QUOTE:

以下是引用fayefayehoo在2008-10-7 9:27:00的发言：

这里的块应该是指BLOCK，不是指PAGE，不过不知道哪些PAGE是划分在BLOCK0,哪些是划分在BLOCK1中的，这个数据手册上我还没找到。

对啊，我只在文档上看到过分成4个BLOCK，但是具体怎么划分的就不知道了！

fayefayehoo

把代码数组改了半天，终于在XEP100上面也能正常编程FLASH了

const U08 P[18] = { 0x18, 0x0B, 0x80, 0x01, 0x06, 0xF6, 0x01, 0x06, 0x87, 0x87, 0xC4, 0x80, 0x8C, 0x00, 0x00, 0x27, 0xF4, 0x3D };

[此贴子已经被作者于2008-10-7 16:28:22编辑过]

ganhuaren

收益颇多啊,我现在正在写这方面代码

zephanshaka

与楼上同感，学习了。

jjh_joshua

谢谢·～～～～～～～～～～～～～～