发光二极管的实质性结构是半导体 PN 结。在 PN 结上加正向电压时注入少数载流子，
少数载流子的复合发光就是发光二极管的工作机理。PN 结就是指在一单晶中，具有相邻的
P区和 N区的结构，它通常是在一种导电类型的晶体上以扩散、离子注入或生长的方法产生
另一种导电类型的薄层来制得的。如曾用离子注入法制成碳化硅蓝色 LED，用扩散法制成
、 As0.60P0.40/GaAs0.35P0.65：N/GaP、GaAs0.15P0.85：N/GaP、GaP：ZnO/GaP 的
红外、红光、橙光、黄光、红光 LED，而 GaAlAs、InGaN、InGaAlP 超高亮度 LED 都是由
： LEDPN结也是用生长结制
成的。生长结一般较扩散法和离子注入法是过补偿制成 结，
量下降，缺陷增多，使用权非辐射复合增加，导致发光效率下降。
、磷砷化镓、铟镓氮、
铟镓铝磷等 III-V 族化合物半导体材料，其他还有 IV 族化合物半导体碳化硅、II-VI 族化合
物硒化锌等。
GaAs Ga
生长结制成，效率较高的 GaAs、GaP ZnO/GaP和 GaP：N/GaP
PN 无用杂质过多且造成晶体质
常用来制造 LED 的半导体材料主要有砷化镓、磷化镓、镓铝砷 |
