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ARM内核种类分类有哪些?

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ARM内核种类分类有哪些?

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最佳答案 cuicaifeng
带有ARM内核的处理器大概有千种以上,这里不做介绍。下面主要对各类ARM处理器的几个重要内核版本做一个简要介绍。
1.ARM7处理器
ARM7处理器采用了ARMV4T(冯·诺依曼)体系结构,这种体系结构将程序指令存储器和数据存储器合并在一起。主要特点就是程序和数据共用一个存储空间,程序指令存储地址和数据存储地址指向同一个存储器的不同物理位置,采用单一的地址及数据总线,程序指令和数据的宽度相同。这样,处理器在执行指令时,必须先从存储器中取出指令进行译码,再取操作数执行运算。总体来说ARM7体系结构具有三级流水、空间统一的指令与数据Cache、平均功耗为0.6mW/MHz、时钟速度为66MHz、每条指令平均执行1.9个时钟周期等特性。其中的ARM710、ARM720和ARM740为内带Cache的ARM核。ARM7指令集同Thumb指令集扩展组合在一起,可以减少内存容量和系统成本。同时,它还利用嵌入式ICE调试技术来简化系统设计,并用一个DSP增强扩展来改进性能。ARM7体系结构是小型、快速、低能耗、集成式的RISC内核结构。该产品的典型用途是数字蜂窝电话和硬盘驱动器等,目前主流的ARM7内核是ARM7TDMI、ARM7TDMI-S、ARM7EJ-S、ARM720T。现在市场上用得最多的ARM7处理器有Samsung公司的S3C44BOX与S3C4510处理器、Atmel公司的AT91FR40162系列处理器、Cirrus公司的EP73xx系列等。通常来说前两三年大部分手机基带部分的应用处理器基本上都以ARM7为主。还有很多的通信模块,如CDMA模块、GPRS模块和GPS模块中都含有ARM7处理器。
2.ARM9、ARM9E处理器
ARM9处理器采用ARMV4T(哈佛)体系结构。这种体系结构是一种将程序指令存储和数据存储分开的存储器结构,是一种并行体系结构。其主要特点是程序和数据存储在不同的存储空间中,即程序存储器和数据存储器。它们是两个相互独立的存储器,每个存储器独立编址、独立访问。与两个存储器相对应的是系统中的4套总线,程序的数据总线和地址总线,数据的数据总线和地址总线。这种分离的程序总线和数据总线可允许在一个机器周期内同时获取指令字和操作数,从而提高了执行速度,使数据的吞吐量提高了一倍。又由于程序和数据存储器在两个分开的物理空间中,因而取指和执行能完全重叠。ARM9采用五级流水处理及分离的Cache结构,平均功耗为0.7mW/MHz。时钟速度为120MHz~200MHz,每条指令平均执行1.5个时钟周期。与ARM7处理器系列相似,其中的ARM920、ARM940和ARM9E处理器均为含有Cache的CPU核,性能为132MIPS(120MHz时钟,3.3V供电)或220MIPS(200MHz时钟)。ARM9处理器同时也配备Thumb指令扩展、调试和Harvard总线。在生产工艺相同的情况下,性能是ARM7TDMI处理器的两倍之多。常用于无线设备、仪器仪表、联网设备、机顶盒设备、高端打印机及数码相机应用中。ARM9E内核是在ARM9内核的基础上增加了紧密耦合存储器TCM及DSP部分。目前主流的ARM9内核是ARM920T、ARM922T、ARM940。相关的处理器芯片有Samsung公司的S3C2510、Cirrus公司的EP93xx系列等。主流的ARM9E内核是ARM926EJ-S、ARM946E-S、ARM966E-S等。目前市场上常见的PDA,比如说PocketPC中一般都是用ARM9处理器,其中以Samsung公司的S3C2410处理器居多。
3.ARM10E处理器
ARM10E处理器采用ARMVST体系结构,可以分为六级流水处理,采用指令与数据分离的Cache结构,平均功耗1000mW,时钟速度为300MHz,每条指令平均执行1.2个时钟周期。ARM10TDMI与所有ARM核在二进制级代码中兼容,内带高速32×16 MAC,预留DSP协处理器接口。其中的VFP10(向量浮点单元)为七级流水结构。其中的ARM1020T处理器则是由ARMl0TDMI、32KB指令、数据Caches及MMU部分构成的。其系统时钟高达300MHz时钟,指令Cache和数据Cache分别为32KB,数据宽度为64位,能够支持多种商用操作系统,适用于下一代高性能手持式因特网设备及数字式消费类应用。主流的ARM10内核是ARM1020E、ARM1022E、ARM1026EJ-S等。
4.SecurCore处理器
SecurCore系列处理器提供了基于高性能的32位RISC技术的安全解决方案,该系列处理器具有体积小、功耗低、代码密度大和性能高等特点。另外最为特别的就是该系列处理器提供了安全解决方案的支持。采用软内核技术,以提供最大限度的灵活性,以及防止外部对其进行扫描探测,提供面向智能卡的和低成本的存储保护单元MPU,可以灵活地集成用户自己的安全特性和其他的协处理器,目前含有SC100、SC110、SC200、SC210 4种产品。
5.StrongARM处理器
StrongARM处理器采用ARMV4T的五级流水体系结构。目前有SA110、SA1100、SA1110等3个版本。另外Intel公司的基于ARMv5TE体系结构的XScale PXA27x系列处理器,与StrongARM相比增加了I/D Cache,并且加入了部分DSP功能,更适合于移动多媒体应用。目前市场上的大部分智能手机的核心处理器就是XScale系列处理器。
6.ARM11处理器
ARM11处理器系列可以在使用130nm代工厂技术、小至2.2mm2芯片面积和低至0.24mW/MHz的前提下达到高达500MHz的性能表现。ARM11处理器系列以众多消费产品市场为目标,推出了许多新的技术,包括针对媒体处理的SIMD,用以提高安全性能的TrustZone技术,智能能源管理(IEM),以及需要非常高的、可升级的超过2600 Dhrystone 2.1 MIPS 性能的系统多处理技术。主要的ARM11处理器有ARM1136JF-S、ARM1156T2F-S、ARM1176JZF-S、ARM11 MCORE等多种。
下面对几个ARM处理器内核做了简单的介绍。可以注意到,随着处理器内核技术的发展,处理器的速度越来越快,其主要得益于ARM流水线的技术发展。

另外按照市场应用,ARM处理器内核大体可以分成如下表的Embedded Core、Application Core、Secure Core 3个部分.

前面描述了ARM处理器的各种体系结构,接下来简单回顾一下ARM处理器的工作模式及处理器内部的CPU寄存器及异常中断处理等机制。
做人要做懒羊羊啊!
带有ARM内核的处理器大概有千种以上,这里不做介绍。下面主要对各类ARM处理器的几个重要内核版本做一个简要介绍。
1.ARM7处理器
ARM7处理器采用了ARMV4T(冯·诺依曼)体系结构,这种体系结构将程序指令存储器和数据存储器合并在一起。主要特点就是程序和数据共用一个存储空间,程序指令存储地址和数据存储地址指向同一个存储器的不同物理位置,采用单一的地址及数据总线,程序指令和数据的宽度相同。这样,处理器在执行指令时,必须先从存储器中取出指令进行译码,再取操作数执行运算。总体来说ARM7体系结构具有三级流水、空间统一的指令与数据Cache、平均功耗为0.6mW/MHz、时钟速度为66MHz、每条指令平均执行1.9个时钟周期等特性。其中的ARM710、ARM720和ARM740为内带Cache的ARM核。ARM7指令集同Thumb指令集扩展组合在一起,可以减少内存容量和系统成本。同时,它还利用嵌入式ICE调试技术来简化系统设计,并用一个DSP增强扩展来改进性能。ARM7体系结构是小型、快速、低能耗、集成式的RISC内核结构。该产品的典型用途是数字蜂窝电话和硬盘驱动器等,目前主流的ARM7内核是ARM7TDMI、ARM7TDMI-S、ARM7EJ-S、ARM720T。现在市场上用得最多的ARM7处理器有Samsung公司的S3C44BOX与S3C4510处理器、Atmel公司的AT91FR40162系列处理器、Cirrus公司的EP73xx系列等。通常来说前两三年大部分手机基带部分的应用处理器基本上都以ARM7为主。还有很多的通信模块,如CDMA模块、GPRS模块和GPS模块中都含有ARM7处理器。
2.ARM9、ARM9E处理器
ARM9处理器采用ARMV4T(哈佛)体系结构。这种体系结构是一种将程序指令存储和数据存储分开的存储器结构,是一种并行体系结构。其主要特点是程序和数据存储在不同的存储空间中,即程序存储器和数据存储器。它们是两个相互独立的存储器,每个存储器独立编址、独立访问。与两个存储器相对应的是系统中的4套总线,程序的数据总线和地址总线,数据的数据总线和地址总线。这种分离的程序总线和数据总线可允许在一个机器周期内同时获取指令字和操作数,从而提高了执行速度,使数据的吞吐量提高了一倍。又由于程序和数据存储器在两个分开的物理空间中,因而取指和执行能完全重叠。ARM9采用五级流水处理及分离的Cache结构,平均功耗为0.7mW/MHz。时钟速度为120MHz~200MHz,每条指令平均执行1.5个时钟周期。与ARM7处理器系列相似,其中的ARM920、ARM940和ARM9E处理器均为含有Cache的CPU核,性能为132MIPS(120MHz时钟,3.3V供电)或220MIPS(200MHz时钟)。ARM9处理器同时也配备Thumb指令扩展、调试和Harvard总线。在生产工艺相同的情况下,性能是ARM7TDMI处理器的两倍之多。常用于无线设备、仪器仪表、联网设备、机顶盒设备、高端打印机及数码相机应用中。ARM9E内核是在ARM9内核的基础上增加了紧密耦合存储器TCM及DSP部分。目前主流的ARM9内核是ARM920T、ARM922T、ARM940。相关的处理器芯片有Samsung公司的S3C2510、Cirrus公司的EP93xx系列等。主流的ARM9E内核是ARM926EJ-S、ARM946E-S、ARM966E-S等。目前市场上常见的PDA,比如说PocketPC中一般都是用ARM9处理器,其中以Samsung公司的S3C2410处理器居多。
3.ARM10E处理器
ARM10E处理器采用ARMVST体系结构,可以分为六级流水处理,采用指令与数据分离的Cache结构,平均功耗1000mW,时钟速度为300MHz,每条指令平均执行1.2个时钟周期。ARM10TDMI与所有ARM核在二进制级代码中兼容,内带高速32×16 MAC,预留DSP协处理器接口。其中的VFP10(向量浮点单元)为七级流水结构。其中的ARM1020T处理器则是由ARMl0TDMI、32KB指令、数据Caches及MMU部分构成的。其系统时钟高达300MHz时钟,指令Cache和数据Cache分别为32KB,数据宽度为64位,能够支持多种商用操作系统,适用于下一代高性能手持式因特网设备及数字式消费类应用。主流的ARM10内核是ARM1020E、ARM1022E、ARM1026EJ-S等。
4.SecurCore处理器
SecurCore系列处理器提供了基于高性能的32位RISC技术的安全解决方案,该系列处理器具有体积小、功耗低、代码密度大和性能高等特点。另外最为特别的就是该系列处理器提供了安全解决方案的支持。采用软内核技术,以提供最大限度的灵活性,以及防止外部对其进行扫描探测,提供面向智能卡的和低成本的存储保护单元MPU,可以灵活地集成用户自己的安全特性和其他的协处理器,目前含有SC100、SC110、SC200、SC210 4种产品。
5.StrongARM处理器
StrongARM处理器采用ARMV4T的五级流水体系结构。目前有SA110、SA1100、SA1110等3个版本。另外Intel公司的基于ARMv5TE体系结构的XScale PXA27x系列处理器,与StrongARM相比增加了I/D Cache,并且加入了部分DSP功能,更适合于移动多媒体应用。目前市场上的大部分智能手机的核心处理器就是XScale系列处理器。
6.ARM11处理器
ARM11处理器系列可以在使用130nm代工厂技术、小至2.2mm2芯片面积和低至0.24mW/MHz的前提下达到高达500MHz的性能表现。ARM11处理器系列以众多消费产品市场为目标,推出了许多新的技术,包括针对媒体处理的SIMD,用以提高安全性能的TrustZone技术,智能能源管理(IEM),以及需要非常高的、可升级的超过2600 Dhrystone 2.1 MIPS 性能的系统多处理技术。主要的ARM11处理器有ARM1136JF-S、ARM1156T2F-S、ARM1176JZF-S、ARM11 MCORE等多种。
下面对几个ARM处理器内核做了简单的介绍。可以注意到,随着处理器内核技术的发展,处理器的速度越来越快,其主要得益于ARM流水线的技术发展。

另外按照市场应用,ARM处理器内核大体可以分成如下表的Embedded Core、Application Core、Secure Core 3个部分.

前面描述了ARM处理器的各种体系结构,接下来简单回顾一下ARM处理器的工作模式及处理器内部的CPU寄存器及异常中断处理等机制。
很好,再次学习了,谢谢
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MC90/70 探针
产品介绍:
MC90/70 探针是多功能高深宽比及高分辨率电子束沉积探针。
Nanotools  ® MC90/70 探针具有完美的圆柱形针尖形状,提供最高深度和底宽的测量重现性。Nanotools® MC90/70 高深宽比圆柱形探针特别适用于 90 nm 和 70 nm 自动化原子力显微镜在线过程控制。这种探针对倾斜进行补偿并可适用于绝大部分原子力显微镜。
MC90/70 探针是电子束沉积材料,探针高深宽比针尖部分是由高密度、类金刚石碳材料制作而成,显示了与其他普通针尖更优越的性能,如高深宽比、疏水表面性能、高硬度/弹性模量、低热质以及耐磨性能。这种高密度碳材料针尖可以消除静电。这种材料可以使探针获得像金刚石一样的持久性,同时具有高分辨图像扫描性能。通过 Nanotools  ®专利的电子束沉积技术,我们可以保证极其对称、纳米精度的坚硬、刚性的高深宽比探针。

技术参数:
针尖        形状:        圆柱形
        直径:        55  nm(±  5  nm)
        半径:         <  5  nm
        倾斜补偿:         3 度(± 0.5 度)
        长度:        800 nm(± 200 nm)
悬臂        长度:        160 m
        宽度:        m
        厚度:         4 .6m
        弹性系数:        42  N/m
        振动频率:        285kHz
镀层        针尖:        无
        悬臂背面:        铝


订购和咨询热线:15201781974
思的(CSSID)公司
电话/传真:029-88246406
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邮箱:info@cssid.com.cnfuturexinc@gmail.com
公司网址:http://cssid.com.cn/pro_2.asp
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