S12在BDM模式下擦写FLASH是可以的，但是单独运行就失败？
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S12在BDM模式下擦写FLASH是可以的，但是单独运行就失败？
| 我的擦除和编程flash程序在BDM环境下是正常的，但是拿掉BDM后在正常模式运行时就不正常了？我看坛子里面有的朋友遇到过这个问题，想问问大家是怎么回事，我觉得HC12的FLASH编程真是比较麻烦，比起其他的MCU来说。我使用的是HCS12C64 |
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现在的问题是在BDM下能够擦写都没有问题，但是单独运行就不能擦写，读出来全部是0xff 我是使用的的是：
9S12C64 由于只有一个BLOCK 所以代码是放在RAM中运行的，但是现在看起来还是有点问题，正常运行就不行，楼主以及各位遇到到问题的同志出来说明下！我觉得这个很怪，为什么在BDM下可以，正常运行就不行，这个完全就不是仿真了，用过51 AVR ARM PIC32 以及ST08 这些我觉得FSL的东西开发工具完全做得不行，可能架构很好很优秀，但是确实操作FLASH这种设计确实不行，对其他的MCU重来说没有说操作FLASH要写到RAM里面的说法，而且寄存器少，方便，快捷，直观，FSL的不知道考虑是什么！？ |
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| 我觉得现在倒腾HS12以及HC08的这些都是搞 汽车的，很多东西很怪，中国的教育就是这样，不能融会贯通，搞工控的可能重来也不去学HC12 因为很贵，货源很少，还在炒货，我觉得FSL对HC12的推广以及支持很不到位对与中国来说，资料也不全面，很多东西其实都没有吃透，CW也很差，真的不好用 FSL的mcu如果不是过了AQ100 以及ISO16949 我看用的人会很少很少，当然结构也是很好，哈佛结构，堆栈可以任意开，但是我觉得 调个FLASH 真是郁闷 |
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另：我看了看坛子上大家的对于FLASH的问题，要说明的是
1.RAM中的内容是不同的，根据具体型号有所调整，现在市面上的HC12的书写得及其不严谨 错误漏洞百出 书上的最好不要看。
2. "JSR "和“JMP”都可以跳转到RAM区，但是我使用JSR时 PC 就飞了，JMP是可以的，这个也想问问大家
3.还是觉得对于像C64这样只有一个BLOCK的MCU来说写FLASH就是整个片子加高压，我觉得很不安全 |
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| 不知楼主解决了没了，没有的话明天我贴个程序上来。今晚太晚了，先回去了。freescale的片子用熟了是很好用的。 |
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| 如果要对FLASH进行擦写的操作，就一定要加上编程电压，这对任何型号的MCU都是一样的。 |
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| 另外，"JSR "和“JMP”也是不一样的。一个是调用子程序，一个是直接跳转。它们的进出过程是不一样的。关键要看你放在RAM中的程序是一段带退出指令的子程序，还是一段完成后直接跳转的代码。如果不匹配的话，就会导致堆栈出错，从而使CPU跑飞。 |
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