| 新型半导体材料碳化硅(SiC)的出现使得单晶体的高温传感器的制作成为有可能。Rober.S.Okojie报导了一种运行试验达500℃的α(6H)SiC压力传感器.实验结果表明,在输入电压为5V,被测压力为6.9MPa的条件下,23500℃时的满量程输出为44.66～20.03mV,满量程线度为20.17%,迟滞为0.17%。在500℃条件下运行10h,性能基本不变, 在100℃和500℃两点的应变温度系数(TCGF),分别为20.19%/℃和-0.11%/℃。这种传感器的主要优点是PN结泄漏电流很小,没有热般配疑难题目以及升温不产生塑性变型,可以批量加工。Ziermann,Rene报导了使用单晶体n型β-SiC材料制成的压力传感器,这种压力传感器工作温度可达573K,耐辐射。在室温下,此压力传感器的活络度为20.2muV/VKPa。 |
