利用正向压降测量半导体结温 半导体, 测量

porereading

标题:	利用正向压降测量半导体结温
类型:	产品说明	大小:	652323B
语言:	中文	发布时间:	2011-04-29
文档介绍:
从集成电路中数以百万计晶体管到制造高亮度LED的大面积复合结，半导体结可能由于不断产生的热量而在早期发生故障。当特征尺寸缩小并且当所需电流增大的情况下，这会成为非常严重的问题，甚至正常操作也可能聚积热量，使结温升高。温度上升会导致半导体结内部的故障增加，进而使性能降低、使用寿命缩短。因此，需要一种准确测量半导体器件温度的方法，避免出现危险的高温。本文介绍了一种用常规测试和测量仪器测量结温的简单方法，并且如何用测量的结温监视指定器件的工作条件。