|
 
- UID
- 856476
|
TOP 9 惠普揭露忆阻器运作机制
惠普（HP）资深院士，也是忆阻器的发明者 Stanley Williams 表示，一些对于 HP 忆阻器的开关速度能比 DRAM 快，且资料保存时间能比快闪记忆体更长数百万倍等特性抱持怀疑的工程师们，现在不必再担心了。
“我们发现电场和电流可共同运作，让记忆体元件能够同时非常迅速地开关并无限期地保持其状态，”Williams说。“不仅仅在元件内施加电压以驱动氧空缺（oxygen vacancies）的迁移，同时间内电流也会加热到300℃──这恰好足够让非晶薄膜转化为结晶薄膜。
忆阻器被视为未来的‘通用记忆体’，因为它们的运作速度能与DRAM一样快，尺寸和快闪记忆一样小，而耐用性则媲美唯读记忆体，据惠普表示。作为继电阻、电容和电感之后的第四种基础被动电路，忆阻器凭藉在氧化薄膜中导入或移除氧空缺的属性，能够仅保留高或低电阻状态。
 以同步X光在100nm具有密集氧空缺的区域内探测忆阻器（图右蓝色部份），此即为忆阻器开关之处。围绕此一区域，新开发的结构相（红色部份）也发现类似温度计的作用，它可呈现当元件在读取或写入时会变得多热。
使用该公司最喜欢的结构──氧化钛──惠普最近还採用了高能同步X光来关联元件的电气特性及其塬子结构、化学和温度。迄今有关接近底部电极的热点在开关期间加热到足够诱导氧化物结晶仍未有定论。在1~2nm厚的区域中驱动空缺（a 1）或传导它们（a 0）后，该薄膜以类似煺火的程序冷却，这让该薄膜保持固定结晶态，而且应该能继续保持下去。
“在测试过程中，我们让这些元件进行了超过300亿次的开关和累计，其保留资讯的能力也未见衰煺，”Williams说。
惠普目前正与Hynix半导体公司共同以忆阻技术为基础开发商用化记忆体。
|
|
