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MC9SDP256B片内FLASH能反复擦写多少次啊？

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wing2001yh发表于 2006-4-22 19:16 | 只看该作者

MC9SDP256B片内FLASH能反复擦写多少次啊？

FLASH, 反复

MC9SDP256B片内FLASH能反复擦写多少次啊？


若反复擦写影响芯片寿命应该怎样解决呢？各位大侠指教！

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l3hh161821发表于 2006-4-24 09:05 | 只看该作者
据说HCS12的FLASH可反复擦写1000次以上，以前的HC12是100次以上
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论坛元老

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seuafu2005发表于 2006-4-24 11:32 | 只看该作者
是的，很多s12系列的单片机flash可以有1000次以上的擦写周期
DP256B的flash擦写次数是最少10次，但是EEPROM可以有10000次以上
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Jinguang发表于 2006-5-2 02:30 | 只看该作者
我看到MC9S12DG128的DATASHEET里面说它的FLASH WRITE ERASE CYCLES是10，如果真的只能檫写10次，那不是用10次以后就不能用了？这么贵的片子
天外有天 人外有人 没有最牛 只有更牛
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dreamcatcher发表于 2006-7-20 15:15 | 只看该作者
我认为擦写周期和擦写次数是不同的概念
生命就是奇迹，永远都不要放弃希望，哪怕光亮渺小如豆，我们都要坚持举着它，即使烛火灼伤了皮肤，我们也不能失手，否则我们将永远在黑暗之中。
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论坛元老

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strongchen发表于 2006-7-20 17:43 | 只看该作者
10次是指在极端的条件下（－40度和125度）。在正常条件下完全可以达到数百次的擦写周期。
海纳百川  有容乃大
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yyy820211发表于 2006-9-6 10:33 | 只看该作者
FLASH可反复擦写1000次以上，以前的HC12是100次以上
EEPROM可以反复擦写10000次

[此贴子已经被作者于2006-9-6 10:33:18编辑过]
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