首页 | 新闻 | 新品 | 文库 | 方案 | 视频 | 下载 | 商城 | 开发板 | 数据中心 | 座谈新版 | 培训 | 工具 | 博客 | 论坛 | 百科 | GEC | 活动 | 主题月 | 电子展
返回列表 回复 发帖

[求助]高手指教,NiosII IDE下Flash Programmer出错

[求助]高手指教,NiosII IDE下Flash Programmer出错

高手指教,NiosII IDE下Flash Programmer出错:
# Programming flash with the project
$SOPC_KIT_NIOS2/bin/nios2-flash-programmer --sidp=0x00201058 --id=797360208 --ti
mestamp=1147003791 --base=0x00000000 ext_flash.flash
Using cable "ByteBlasterII [LPT1]", device 1, instance 0x00
Resetting and pausing target processor: OK
Reading System ID at address 0x00201058: CFI erase region definitions don't matc
h device size
verified
Leaving target processor paused


说是CFI erase region definitions don't match device size


用的是Flash是1MB的,是不是容量的问题?

用的flash什么型号?
你用的是1M的FLASH芯片,但是你的SOPC设计的时候也是指定的1M么?
型号是SST39VF1601
设计的时候指定的是1M的啊
而且在SOPC中发现一个现象,就是如果指定地址为宽为n的话,它给出的地址位数为n+1,比如指定地址位宽20,它给出的地址位数则为[20..0],显然多了一位,不知各位是否碰到过这样的问题?
这是因为你的数据线是16位的,所以对应地址会增加一位。
在交流中前进,共同实现nios的应用。
兄台 这个问题我也遇到了,你解决了吗?怎么解决的?
这不是问题,这个本来就应该多一位地址,可以使你能够寻址到字节.
在交流中前进,共同实现nios的应用。
地址位没有问题,是按nios A1 --> flash A0 但是烧写时 还是报错,CFI erase region definitions don't match device size,芯片手册说写保护位悬空即为不进行写保护(芯片含内部上拉),所以我的WP位是悬空的
这个有什么 影响吗 ??
想看更多的东西?来我的博客,精彩多多! http://blog.eccn.com/u/bjxiong/index.htm
我的问题是现在 烧写报错 报错情况 和楼主一样 希望能够得到解答
我也遇到了这种问题,但当时我好像没有 管它
没管?没管怎么烧进去的?
这个问题是要涉及到地址偏移的问题.还有就是的你的FLASH烧写一定要有一个FLASH烧写模板.你用的这个FLASH不是NIOS标准支持的.可能要做一下他的HAL文件.

楼主的问题解决了吗?我也遇到同样的问题了!!!

返回列表