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场效应管(mosfet)参数符号意义

场效应管(mosfet)参数符号意义

Cds---漏-源电容  Cdu---漏-衬底电容
  Cgd---栅-源电容
  Cgs---漏-源电容
  Ciss---栅短路共源输入电容
  Coss---栅短路共源输出电容
  Crss---栅短路共源反向传输电容
  D---占空比(占空系数,外电路参数)
  di/dt---电流上升率(外电路参数)
  dv/dt---电压上升率(外电路参数)
  ID---漏极电流(直流)
  IDM---漏极脉冲电流
  ID(on)---通态漏极电流
  IDQ---静态漏极电流(射频功率管)
  IDS---漏源电流
  IDSM---最大漏源电流
  IDSS---栅-源短路时,漏极电流
  IDS(sat)---沟道饱和电流(漏源饱和电流)
  IG---栅极电流(直流)
  IGF---正向栅电流
  IGR---反向栅电流
  IGDO---源极开路时,截止栅电流
  IGSO---漏极开路时,截止栅电流
  IGM---栅极脉冲电流
  IGP---栅极峰值电流
  IF---二极管正向电流
  IGSS---漏极短路时截止栅电流
  IDSS1---对管第一管漏源饱和电流
  IDSS2---对管第二管漏源饱和电流
  Iu---衬底电流
  Ipr---电流脉冲峰值(外电路参数)
  gfs---正向跨导
  Gp---功率增益
  Gps---共源极中和高频功率增益
  GpG---共栅极中和高频功率增益
  GPD---共漏极中和高频功率增益
  ggd---栅漏电导
  gds---漏源电导
  K---失调电压温度系数
  Ku---传输系数
  L---负载电感(外电路参数)
  LD---漏极电感
  Ls---源极电感
  rDS---漏源电阻
  rDS(on)---漏源通态电阻
  rDS(of)---漏源断态电阻
  rGD---栅漏电阻
  rGS---栅源电阻
  Rg---栅极外接电阻(外电路参数)
  RL---负载电阻(外电路参数)
  R(th)jc---结壳热阻
  R(th)ja---结环热阻
  PD---漏极耗散功率
  PDM---漏极最大允许耗散功率
  PIN--输入功率
  POUT---输出功率
  PPK---脉冲功率峰值(外电路参数)
  to(on)---开通延迟时间
  td(off)---关断延迟时间
  ti---上升时间
  ton---开通时间
  toff---关断时间
  tf---下降时间
  trr---反向恢复时间
  Tj---结温
  Tjm---最大允许结温
  Ta---环境温度
  Tc---管壳温度
  Tstg---贮成温度
  VDS---漏源电压(直流)
  VGS---栅源电压(直流)
  VGSF--正向栅源电压(直流)
  VGSR---反向栅源电压(直流)
  VDD---漏极(直流)电源电压(外电路参数)
  VGG---栅极(直流)电源电压(外电路参数)
  Vss---源极(直流)电源电压(外电路参数)
  VGS(th)---开启电压或阀电压
  V(BR)DSS---漏源击穿电压
  V(BR)GSS---漏源短路时栅源击穿电压
  VDS(on)---漏源通态电压
  VDS(sat)---漏源饱和电压
  VGD---栅漏电压(直流)
  Vsu---源衬底电压(直流)
  VDu---漏衬底电压(直流)
  VGu---栅衬底电压(直流)
  Zo---驱动源内阻
  η---漏极效率(射频功率管)
  Vn---噪声电压
  aID---漏极电流温度系数
  ards---漏源电阻温度系数
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