电子制造业的技术工艺可以包括为三类即：图形转移工艺、掺杂工艺、薄膜制备工艺。 下面开始说的是圆形转移工艺：
圆形转移工艺它主要包括两部分，即光刻工艺和刻蚀工艺。
那什么是光刻工艺呢？是一种图形复印技术，是集成电路制造工艺中一项关键的工艺。 简单来说，就是利用光刻胶感官后该特性发生改变的原理，将光刻淹没版的图形精确的复印到涂在晶圆片上的光刻胶上，然后利用光刻胶作为掩膜保护，在晶圆片表面的掩膜层上进行选择性的加工（刻蚀或注入），从而在晶圆片上获得相应的电路图形结构。 光刻工艺原理的基本过程为： 1. 在硅晶圆片上涂上一层光刻胶（有叫光致抗蚀剂，一种光敏材料），这层光刻胶相当于印相纸。用预先制作好的有一定图形的光刻掩膜版（相当于印相时的底片）盖上。 2. 对涂有光刻胶的晶圆片进行曝光，此过程相当于印相中的感光，光刻胶感光后其特性发生改变，正胶的感光部分变得容易溶解，而负胶则相反。 3. 对晶圆片进行显影。正胶经过显影后被溶解，只留下未受光照部分的图形，而负胶相反，收到光照部分变得不容易溶解，经过显影后，留在光照部分形成图形，之后对晶圆片进行刻蚀，便可以再晶圆片表面的掩膜成上割制出所需的图形。 4. 用去胶法把涂在晶圆片上的感光胶去掉。 刻蚀工艺主要有湿法刻蚀和干法刻蚀， 湿法刻蚀是利用液体化学试剂与待刻材料反应生成可溶性化合物，道道刻蚀的目的，是一种纯化学腐蚀，具有良好的选择性，当属于各向同性，因此对线条尺寸控制性差。 干法刻蚀是利用等离子体与待刻材料相互作用（物理轰击和化学反应），从而去除未被光刻胶保护的材料而达到刻蚀的目的。 在图形转移中，干法刻蚀占据主导地位。 集成电路是由成千上万甚至上亿个晶体管等元器件集成的，而这些元器件也许类型、结构、尺寸都不相同。IC制造的精髓是能够将IC设计者的要求转移到硅晶圆片上，这就只能靠上面所说的图形转移工艺。 它能在一片硅晶圆片上定义，区分和制造不同类型，不同结构以及不同尺寸的元器件。 所以说光刻工艺是制作半导体器件和集成电路制造工艺的关键工艺。 | 
