如同前点所说,PA乃是一个大功率组件,且其输出端功率乃是用微带传输线来做阻抗匹配,故RF信号容易经由介质耦合和空气中辐射到PA外围手机通讯电路,甚至影响邻近手机使用者。其中最典型的例子即信号耦合到PLL中的VCO,容易造成VCO的频率偏移,此将大大影响手机本身之通话品质,故PA设计本身之屏弊与隔离乃是充满挑战的一个课题。
PA 的技术与运作PA的设计近年来由于在IC输出阻抗匹配线路之Q值不佳,所以多采用多芯片模块(MCU,Multi-Chip-Module)的结构,如图2。
CMOS功率控制IC:此IC可说是PA模块的核心,其功能含:提供HBT IC直流偏压(DC-Bias)、频带选择(Band-Selection betweenGSM and DCSBand)、温度补偿、自我功率测量(确保PA所输出功率为基站需求值),输出功率调整(不同之输出功率等级调整)、功率开关(在传送与接收之间做切换)及保护装置电路(避免手机使用不当,而发生损坏之现象)。
GSM/DCS HBT PA IC:此HBT PA IC主要功能为射频信号的功率放大,目前手机PA都是利用砷化镓制程的异质结双数晶体管(GaAs