瑞萨开发出可克服门限值变化影响的稳定性技术 限值, 稳定性, 技术, 开发

juliguo

瑞萨宣布开发出一种有助于采用65nm（65纳米）制造工艺生产的SRAM（静态随机存取存储器）实现稳定运行的技术。新技术采用了一种直接图形成型布局和读辅助及写辅助电路，以克服采用精细特征工艺技术时由于晶体管固有特性可变性带来的SRAM不稳定问题。尤其是，该技术解决了与门限电压（Vth）有关的诸如晶体管导通或关断时出现的边线电压的重要问题。fficeffice" />