易用性和低成本且兼具性高的CoolMOS P6横空出世 见面会, 市场部, 产品, 性价比

跳动的火花

导读：CoolMOS CP在好几年前就达到了业界的极致性能，转换效率高达96%以上，而市场上同类产品的转换效率直到去年也才达到86%。然而，超高性能的极致产品不一定是市场需要的主流产品，极致性能背后的代价是电路板布局布线EMC的严苛要求和整机研发时间的延长。英飞凌全球应用市场总监Thomas Schmidt说：“产品性能达到极致远远不够，结合了高性能、易用性和低成本三方面优势的高性价比产品（如CoolMOS P6）才是市场主流。”

在不久前英飞凌电源管理新品媒体见面会上，英飞凌科技奥地利有限公司全球应用市场部市场总监Thomas Schmidt展示了英飞凌CoolMOS的最新产品线路图：在CoolMOS CP和CoolMOS C6/E6之后，英飞凌推出了介于两者之间的最新产品——600V CoolMOS  P6。
  本文由电子元件技术网(www.cntronics.com)和电子技术应用(www.52solution.com) 电子展 www.aidzz.com 、2013深圳电子展(www.030news.com)、综合报道！

“这是市场选择的结果。” Thomas Schmidt表示：“一开始，我们推出了在高效率应用上保持标杆地位的极致性能产品CoolMOS CP。后来，发现工程师需要更容易控制开关速度，更高抗电路板寄生电感和电容能力更容易设计的产品，于是我们推出了CoolMOS  C6或E6。现在，我们发现工程师需要在CoolMOS的性能、易用性和成本上达到一个平衡，他们需要CoolMOS达到一定的性能，同时又需要 CoolMOS在EMC的设计上变得更见简单。”于是，提升系统效率同时兼顾易于使用的最新600V CoolMOS  P6产品系列诞生了——该产品系列结合了专注于提供极致性能的技术（CoolMOS  CP）和强调易于使用的技术（如CoolMOS  C6或E6）。

CoolMOS P6能在服务器、通信设备的整流器、台式机电源和电子游戏机等应用的硬开关和软开关PFC（功率因数校正）和PWM（脉宽调制）拓扑中实现出色性能：
    * 得益于其更低的栅极电荷Qg，CoolMOS  P6提高了效率（特别是在轻负载条件下）。
    * 具备较高的阈值电压Vgsth（从C6或E6的3V提高到了4V），实现提前关断，提高软开关应用的效率。
    * 由于其性能可靠的体二极管，P6不仅可用于硬开关PFC，也可用于软开关PWM（如LLC）。
    * 经优化的集成栅极电阻（Rg）阻值最好地兼顾效率和易于使用性以及对开关行为的有效控制。
    * 电压斜率（dv/dt）从50V/ns提高至100V/ns，确保更可靠的性能和更高开关效率。
英飞凌科技香港有限公司市场总监Billy Ng表示：“使用CoolMOS  P6解决方案，既可以实现极高的转换效率，又能缩短系统开发时间。而在价格不是第一位的服务器、通信设备应用中，如果将CoolMOS P6和第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基势垒二极管结合使用，其性价比在当前市场上的所有超级结技术的产品中都处于领先地位。”
第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基势垒二极管，是英飞凌的最新SiC（碳化硅）产品。新一代产品相对于英飞凌以往各代thinQ!TM 产品， PFC升压级在所有负载条件下的效率都得到了进一步的提升。“效率的提升源于英飞凌扩散焊接工艺的改善：英飞凌将荣获专利的扩散焊接工艺成功地与更紧凑的全新设计和最新的薄晶圆技术有机结合在一起，改进了热特性，并使一个优值系数（Qc x Vf）与英飞凌前代SiC二极管相比降低了大约30%。” Billy Ng介绍。
                 图3 SiC Diode G5和第三代/第二代产品在不同频率和输出功率下的效率比较
                 若图片无法显示请访问：http://www.cntronics.com/gptech-art/80019720
第三代产品的低容性电荷（Qc）值与第二代产品的正向电压（Vf）水平相结合，使第五代产品的PFC电路达到最高效率水平。SiC Diode G5具备更高的击穿电压：650V（第二代和第三代为600V）。对于太阳能逆变器等应用以及具有挑战性的SMPS环境而言，这种特性可实现更高的安全裕度。此外，第五代产品还具备高浪涌电流耐受性和更丰富的型号——包括具备更高额定电流和采用全新封装（如TO-247 和ThinPAK）的产品。
第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基势垒二极管的目标应用是高端服务器和电信SMPS（开关模式电源）、PC银盒和照明应用、太阳能逆变器和UPS（不间断电源）系统等。通过利用新一代器件，这些应用不但可以提高能效，而且还可以降低EMI（电磁干扰），提高系统可靠性，以及缩减成本/尺寸——因制冷要求降低。
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CoolMOS  P6从2012年第四季度开始提供600V CoolMOS  P6产品样品。预计将于2013年第一季度投入第一批OEM量产。而第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基势垒二极管样品现已开始供货。