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日前，晶能光电CTO赵汉明博士在美国报告了硅基LED的最新进展情况。晶能光电45mil的硅基大功率LED芯片发光效率已经提高到130lm/W，产品封装后蓝光功率最高可达615mW，白光光通量最高可达145lm，而55mil的硅基大功率LED芯片发光效率可达140lm/W。
硅基LED芯片是垂直结构芯片，具有出光形貌好、散热优良、适合于大电流驱动以及陶瓷封装效率高等特点。硅基LED芯片用的是银反射镜垂直结构技 术，与ITO水平结构的蓝宝石LED芯片相比，具有散热好、电流扩展好等优势，同样大小的LED芯片，垂直结构的正常工作电流可以比ITO水平结构的高很 多，因此单位面积芯片出光要高。同等总流明的灯具所需要的垂直结构LED芯片颗数要少，这是成本降低的一大因素。目前晶能光电正在开发6寸GaN/Si技 术的量产技术，用6寸硅衬底开发的45mil硅基大功率LED芯片光效可达120lm/W。
赵汉明博士指出，目前蓝宝石衬底LED技术已经很成熟，世界上99%的公司都是用这个技术制造LED;碳化硅衬底LED技术主要是科锐在用，技术也 比较成熟;用硅做衬底最有潜力，但也最难。晶能光电从2006年成立以来，就专注硅基LED芯片的研究和开发，也是目前世界上最早将硅基LED产品推向市 场的公司。
据悉，此前晶能光电在广州香格里拉大酒店举行的新一代大功率硅基LED芯片产品发布会上推出了这四款产品，45mil的硅基大功率LED芯片发光效率可达到120lm/W。 |
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