英飞凌宣布该公司展示了一款硬盘读取IC（集成电路）内核的功能以及超过2.6 Gbps（千兆位每秒）的数据率，是业内90 nm （纳米）读取通道最高的数据率，比前一代器件几乎要快30%。该内核是英飞凌与日立环球存储科技有限公司联合开发的第三代读取通道。它被集成至一个片上系统（SoC）器件，该器件包含控制硬盘的所有必要功能，包括将率先同时支持4.25 Gbps光纤通道和即将推出的6 Gbps SAS （串行连接SCSI）和S-ATA （串行ATA） 标准的PHY （物理层）内核。该片上系统预计在2007年初全面投产。ffice ffice" /> | 
