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关键字：NPT IGBT Power MOS 8技术 美高森美
美高森美为NPT IGBT产品系列增添多款新器件,全新25A、50A和 70A IGBT器件设计用于大功率、高性能的工业应用.
致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的供应商美高森美公司宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through, NPT) IGBT系列增添十多款全新器件，包括25A、50A和70A额定电流型款。
美高森美的NPT IGBT产品系列设计用于需要大功率和高性能广大范围的工业应用，最新的器件非常适合电焊机、太阳能逆变器，以及不间断电源和开关电源。1200V产品系列中的所有器件均以美高森美的先进Power MOS 8技术为基础，与竞争解决方案相比，总体开关和导通损耗显著降低20%或更多。
美高森美新的NPT IGBT解决方案与该产品系列中的所有器件相一致，可以与美高森美的FRED或碳化硅肖特基二极管组合封装，为工程师提供高集成度解决方案，以便简化产品开发工作。其它特性包括：
与同类器件相比，栅极电荷显著减少，具有更快的开关性能；
硬开关运作频率超过80KHz，实现高效的功率转换；
易于并联(Vcesat的正温度系数)，提升大功率应用的可靠性
额定短路耐受时间(Short Circuit Withstand Time Rated, SCWT)，在需要短路能力的应用中实现可靠运作
除了器件优势之外，美高森美为NPT IGBT器件提供贴片 D3封装，可让设计人员实现更高的功率密度和更低的制造成本。
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