GLOBALFOUNDRIES称超台积电2015年量产10奈米 专利, 台积电

wxg1988

先进制程晶圆代工市场战火愈演愈烈。继台积电宣布将分别于2015、2017年推出16和10奈米鳍式电晶体(FinFET)制程后，格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)日前也喊出将超前台积电1年，于2014年导入14奈米量产，并将发挥FinFET专利数量优势，于2015年抢先进入10奈米世代，让双方竞争更趋白热化。
　　格罗方德先进技术架构副总裁SubramaniKengeri表示，格罗方德自尚未从超微(AMD)分割出来前，就已与IBM紧密合作开发FinFET制程、材料与设备技术，至今已累积超过10年丰富经验，同时也掌握全球现有70%专利，因此可望领先群伦在2014年推出14奈米FinFET晶圆前段闸极制程加20奈米后段金属拉线制程的混搭方案。
　　
　　因应上述混搭方案发展，该公司亦将在今年下半年推出20奈米高介电系数金属闸极(HKMG)制程，一方面增强与台积电在市场上竞争的实力，另一方面也能藉优化20奈米产线的经验，加速提升14/20奈米混搭制程良率。Kengeri指出，格罗方德几乎与英特尔(Intel)在同一时间投入发展FinFET，加上后续又与IBM、三星(Samsung)组成策略联盟并产出大量专利，所以能紧追英特尔之后，成为第一个克服FinFET商用量产桎梏的晶圆代工业者。
　　
　　不仅如此，格罗方德亦正紧锣密鼓研拟第二代FinFET电晶体架构，以及10奈米制程所需的三重曝光(Triple-patterning)技术，从而在晶圆前后段制程均实现FinFET架构，更进一步增强产品效能并缩减尺寸及功耗，预计2015年即可进入量产。
　　
　　据悉，晶圆代工厂从传统SiON/Poly，或目前28/20奈米主流HKMG制程转换至FinFET，将面临电晶体架构验证、矽智财(IP)设计，以及蚀刻、曝光等设备开发问题，必须仰赖长久的研发投资与技术优化，才能取得关键制程参数，并顺利导入商用。
　　
　　Kengeri强调，格罗方德目前已拥有不少28奈米投片案，在晶圆代工市场上坐二望一；同时因最早投入FinFET开发，经年积累下来的Know-how，不是其他业者短期内扩增研发预算或设备投资就能迎头赶上；因此，未来将可在市场上扩大竞争优势。