基于大规模RF集成减少手机线路板面积和功耗的解决方案 解决方案, 系统集成, 线路板, 手机, 成本

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另外还有一种方法，手机电子系统集成也可用先进BiCMOS(SiGe)晶圆工艺得到。然而由于处理SiGe HBT器件需要额外的光刻工序，因此最后的芯片将需要一个额外的费用，同时因为SiGe BiCMOS技术不能利用最先进的光刻工艺，所以通常BiCMOS工艺落后于先进的数字CMOS工艺。这些都会给增加手机特性并降低成本带来巨大的压力，它不可能用简单的晶圆工艺策略来解决，因为这一技术无法在所有时间保持系统逻辑或数字部分都是最低可能价位，所以在BiCMOS(或SiGe)中系统基带功能射频部分进行单片集成不是一个很好的选择。
可以考虑的最后方案是在CMOS中进行射频集成，这一方法也面临相当大的挑战。虽然已经有几种CMOS蜂窝射频设计，但这些设计很大程度是建立在模拟功能上。用CMOS技术来实现模拟混频器、滤波器和放大器是很困难的，而且功耗一般要大于SiGe BiCMOS方案。随着工艺技术的发展，CMOS额定电平越来越低，这使模拟设计更为困难。在开发新工艺早期，器件建模和工艺成熟性一般都不能满足模拟模块设计所需的高精度参数建模要求，不过，最近开发的数字CMOS射频架构使单片CMOS集成变得更有吸引力。
在制造商寻求低成本RF系统级芯片方案时，这些方案也驱动着半导体工业向前发展。尽管每种集成方案都有困难，但射频元件集成能达到如此高的水平确实也令人感到惊讶。克服这些困难将使无线手机设计向前跨越一大步，并为不久将来更大的集成设立了方向。
本文结论
在RF集成方面依然有许多难题。现代手机的每一个射频器件都面临着严格的性能要求，灵敏度要求大约为-106dBm(1毫瓦以下106dB)或更高，而相应的电平只有几个微伏；另外选择性也即有用通道对相邻频段的拒绝能力(通常称为阻塞)应为60dB数量级；此外系统振荡器要求运行在非常低的相噪声下，以防止折叠阻塞能量进入接收频段。由于涉及到非常高的频率和极苛刻的性能要求，射频集成是非常困难的。
处理多频率标准为整个SoC频率带来一个真正的挑战，希望能够减轻带内信号传输产生的激励，向数字射频集成所包括的内容要比将多个射频元件放在一个芯片中多得多，需要有一个硬件共享的新架构。
对于系统设计人员来讲，目前简单、高集成度、节省成本的半导体器件能够大大降低设计复杂性，与此同时它们又能够丰富无线器件的特性且保持系统尺寸、电池寿命和费用不变。新的高集成度RF器件还可以消除一些无线设计中的争论，节约工程师们宝贵的时间。