Gen8+ LDMOS RF功放管满足TD-LTE所有频段的市场应用 网络服务, 半导体, 总经理, 晶体管, 中国区

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随着中国开始铺设全球最大4G网络，针对不同基站配置，针对不同频段，针对不同功率，恩智浦半导体(NXP)推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管，这是恩智浦作为特别关注TD-LTE的无线基站第八代LDMOS产品线的扩展产品。
恩智浦半导体大中国区无线通讯及射频业务总经理陈平路告诉记者，4G LTE制式是实施更高质量网络服务的最新标准。Gen8+ LDMOS RF功率晶体管是恩智浦目前最完善的TD-LTE LDMOS产品组合。BLC8G27LS-160AV是即将发布的第一款Gen8+器件，是目前业界最小也是最经济的解决方案，用于有源天线户外基站(2.6GHz)的15W和20W功率放大器。该器件可同时支持多达5个TD-LTE载波，并提供覆盖全波段(2.5GHz~2.7GHz)的高效率。并且显著提升性能、灵活性和经济性。

陈平路介绍说，Gen8+产品组合最初设计用于频率范围在2300MHz~2700MHz之间的基站应用。作为现有恩智浦LDMOS产品系列的扩展，Gen8+增加了各个波段功耗水平的范围，从5W~240W不等。

陈平路特别提到，Gen8+产品组合的一项突破性功能就是采用了空腔塑料(ACP)封装。相比原陶瓷封装，ACP更加经济、灵活，性能更加稳定，效率也大大提高。全新ACP封装还允许使用改进型无源器件，通过降低功耗并增加增益和效率来提升性能。Gen8+还加入了大量其他封装选项，包括QFN、OMP和陶瓷封装。

陈平路表示，Gen8+ LDMOS技术运用恩智浦在RF功率产品领域的深厚积淀，以显著的低成本提供优异的高性能、低功耗和更高效率的竞争优势。Gen8+产品组合主要是针对支持TD-LTE网络的无线基站应用，恩智浦5年前进入中国这一市场，Gen8+产品组合对即将在中国铺设的全球最大4G网络进行了优化，近期将拓展到所有其它制式基站应用中。

据了解，BLC8G27LS-160AV和其他Gen8+ LDMOS晶体管的样品将于2013年第3季度提供。