Normal
0
7.8 磅
0
2
false
false
false
EN-US
ZH-CN
X-NONE
/* Style Definitions */
table.MsoNormalTable
{mso-style-name:普通表格;
mso-tstyle-rowband-size:0;
mso-tstyle-colband-size:0;
mso-style-noshow:yes;
mso-style-priority:99;
mso-style-parent:"";
mso-padding-alt:0cm 5.4pt 0cm 5.4pt;
mso-para-margin:0cm;
mso-para-margin-bottom:.0001pt;
mso-pagination:widow-orphan;
font-size:10.5pt;
mso-bidi-font-size:11.0pt;
font-family:"Calibri","sans-serif";
mso-ascii-font-family:Calibri;
mso-ascii-theme-font:minor-latin;
mso-hansi-font-family:Calibri;
mso-hansi-theme-font:minor-latin;
mso-font-kerning:1.0pt;}
㈠     高温除杂
反应室炉温升高1200℃,通入氢气,高温、燃烧除去衬底上的杂质,时间10min。
 
㈡     : 长缓冲层
炉温降底控制在530℃时,在蓝宝石衬底上生长一层300A厚的GaN缓冲层，时间3min。
 
㈢      退火
炉温升至1150℃，时间7min，将低温长的非晶缓冲层通过高温形成多晶GaN   缓冲层。 |
