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GaN技术在微波射频领域的应用及影响

GaN技术在微波射频领域的应用及影响

关键字:氮化镓   微波   射频  
行业俯瞰
整个微波行业,包括防务、安全、工业和通信等领域,都在不断变化发展中。从高功率这一角度出发,推动防务发展的动力一方面是基于宽带隙器件的固态雷达系统的发展;另一方面是出于建造多频段带宽的高效、紧凑电子对抗系统的持续要求;此外还有满足发展“定向能对抗”(即利用定向性较好的高能波束,如激光、微波、粒子束等对敌方目标,尤其是电子目标进行定向干扰或摧毁)这一既定目标需要的射频技术。

从射频和微波功率器件市场这角度来看,在通信行业,3G应用和WiMax应用是目前主流的两大移动宽带发展方向,其技术的发展很大程度上依赖射频器件和微波功率器件的性能。因此氮化镓(GaN)技术在3G基站和WiMax市场上是否均能获得认可,是影响氮化镓(GaN)成本走势的关键因素。

在医疗行业,微波治疗(主要通过探头利用微波能量杀灭癌变组织),相比于传统手段,其治疗速度快、副作用小、定向性高、不破坏正常组织的优越性,成为治疗癌症的更理想选择,这一特性也使得紧凑型微波功率系统的市场得以稳步发展。由此可见,在通信和医疗市场中所产生的交易趋势或许会成为推动氮化镓(GaN)价格下降的关键,甚至可能是某些氮化镓(GaN)供应商及厂商长期生存之本。

技术更新

目前的市场正在受到一些新兴技术的影响,比如可以耐受较高电击穿场强、广泛应用于集成电路产品的半导体功率器件,另外还有宽带隙功率晶体管技术——与传统的技术相比,这种技术能更轻松地设计出宽带(即多频段)匹配电路,因而备受关注。

与现有技术相比,氮化镓(GaN)的优势在于更高的漏极效率、更大的带宽、更高的击穿电压和更高的结温操作更高的工作温度、更高的击穿电压、更强的抗辐射能力、更高的电子漂移饱和速度和更强的压电性与铁电性,并能实现更好的异质结构,这些特点经常作为推动其批量生产的重要因素,但在价格、可用性和器件成熟度方面还需加以综合考量。2.5GHz以下的各频段,硅横向扩散金属氧化物半导体(场效应器件)(Si LDMOS)和砷化镓(GaAs)仍占有着举足轻重的地位。因此,在这些频段以及相邻频段,器件的选型不如人们期待中那么明朗。

MILMEGA公司作为专业从事固态高功率、多频段射频和微波功率放大器的设计和制造,其宽带放大器产品广泛用于无线通信测试应用、医疗器械设计、高能物理研究(HEP)、电磁兼容性测试(EMC)以及电子战(EW)系统。在产品开发方面,MILMEGA公司也在不断开发各种多频段放大器解决方案,扩展可用带宽以适应新测试标准的需要,或者用于提升现有军用或商用系统的性能。当前,在射频和微波晶体管技术发展日新月异的形势下,所面临的挑战是如何为每一项新需求设计出与之相应的器件制造工艺。同时还要考虑到不同的线性度、效率、可靠性、尺寸以及成本等要求,优化生产出一种满足众多市场需要的通用型放大器产品。

在当前的经济形势下,从事放大器设计及制造的公司在考虑创新项目取舍方面有了新的定位——更注重如何有效地集中及优化资源,加快产品的市场推广步伐。MILMEGA公司从中发现的是,同时启动的项目越少,那么项目的市场化进程就越顺畅。虽然公司的信贷控制在2011年一直处于紧缩状态,但是研发投入仍然与往年持相同水平,并将在2012年持续深入,因为公司深知“创新”的生存之道。
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