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关键字：闪存 RAM FRAM 铁电非易失性随机存取存储器
众所周知，铁电非易失性随机存取存储器（FRAM）是一种高性能、低功耗的非易失性存储器，结合了传统非易失性存储器（闪存和E2PROM）和高速RAM（SRAM和DRAM）的优点。因此，可以说FRAM代表了新一代通用存储器。
FRAM的工作原理是什么？
FRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时，晶体中心原子在电场的作用下运动，并达到一种稳定状态；当电场从晶体移走后，中心原子会保持在原来的位置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶，中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置，因此FRAM保持数据不需要电压，也不需要像DRAM一样周期性刷新。由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性，与电磁作用无关，所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件（诸如磁场因素）的影响，能够同普通ROM存储器一样使用，具有非易失性的存储特性。另外，FRAM的特点是速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，不存在E2PROM的最大写入次数的问题；闪存和E2PROM的读/写周期的最大次数是在5000和10万次之间。FRAM超过10000亿次的读/写周期相当于每隔1秒读/写一次存储单元，寿命可达30000年之久。所以FRAM存储器的寿命基本上是无限的。
但受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问（读）次数的限制。FRAM还提供了2-3位数纳秒范围的读写存取时间，使得它的性能可与标准RAM媲美。因此，FRAM结合了非易失性存储器和高性能RAM的优势。
但是，什么事儿都是寸长尺短。SRAM/DRAM具有快速无限的读/写次数，但是没有非易失性，其非易失性需要电源；闪存/E2PROM具有非易失性，访问ROM却很慢；FRAM却结合了闪存/E2PROM和SRAM/DRAM的优点。
当然， FRAM产品集中运用在计量、工业自动化控制、数据记录等方面。说起能够在市场上占有大量需求的关键因素不外乎：不需要电压即可保持数据、资料撷取、高速写入以及高耐用性等。
生产FRAM的厂商很多，技术领先的主要是富士通，Ramtron，富士通算是FRAM的鼻祖了，具有十几年的开发经验;FRAM既有快速无限的读/写次数，又有非易失性。细数起来，FRAM的优势包括五个方面：非易失性、安全性、可靠性、高速和低功耗。具体讲，FRAM可以覆盖（无需擦除），写周期与读周期相等，具有防篡改功能。FRAM写入的数据不能通过物理分析被盗用，没有备用电池要求，是一种环保的存储器。近些日子，富士通推出了一款新产品MB85RC256V，对于2.7V-5.5V这个工作电压范围来说，这一款产品的加入，直接添补了富士通宽电压FRAM产品的空缺。
MB85RC256V的参数
256Kb存储容量，32kx 8位结构，1012次的读写次数，+85度左右数据保存10年(+85°C)，2.7V-5.5V工作电压范围，串行外设接口-I2C(4.5V-5.5V,工作频率达1MHz；2.7V~4.5V,工作频率达400kHz)，温度及封装配置(-40°C至 +85°C的工业温度范围,支持3.9mmx5.05mm和5.30mmx5.24mm两种尺寸的SOP-8封装)
当然，FRAM产品肯定是结合了ROM的非易性数据存储性能和RAM快速存储的优势，具有几乎无限次的读写次数、高速读写和低功耗等特点，不过，作为富士通来说，它的独立FRAM器件不仅丰富，它的FRAM产品线更有着自己的特色，多接口和多种容量的产品库，带标准内存引脚配置且兼容标准E2PROM器件，包含工业标准的串行和并行接口，确实给工程师提供了一定意义的便捷。接下来，我们来看下富士通最新的FRAM产品列表：
富士通各条战线上已经开始加紧完善，这次的256K容量FRAM产品的面世再好不过的证实了富士通会不断填充FRAM产品的誓言，当然，市场需要才是王道！
曾经，FRAM一般被认为是异步SRAM的取代品。在需要FRAM存储器的高性能应用领域方面，FRAM也可替代一部分EEPROM和FLASH器件。设计人员可能会在以往使用EEPROM和FLASH器件的场合选用FRAM。在许多情况下，利用FRAM特性可能改进客户的最终产品。
随着FRAM产品应用的不断扩散，当下十分火热的汽车电子、金融POS、医疗电子都对这个特别的存储器有着特别的青睐，不知道几大厂商有没有做好迎接最新一波产品变革的准备，当然，根据很多工程师的反馈，价格也一定要在考虑范围！
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