|
- UID
- 872339
|
关键字：隔离 交流电 线性功率控制 MOSFET 光电耦合器
使用有源器件(例如MOSFET)的线性区域进行功率控制并不是有效的解决方案。但如果功率控制被限制在控制范围的低位或高位部分，那么使用线性区域却是个不错的选择。例如，如果我们希望将45W电烙铁的功率控制在35W至45W之间，则一个有源器件将消耗约0.1W～4W的电量。图1中所显示的电路正是基于这一点开发出来的。
图1：基于有源器件的线性区域进行功率控制。
在这个电路当中，VOM1271光电耦合器是通过简单的电流源来驱动的。VOM1271的最大输出电压可达到8.4V。图2显示了输入正向电流(IF)与输出短路电流(ISC)之间本质上的线性关系。在光电输出未达到开路电压(8V)时，其行为与恒流源相似。该输出电压可用于驱动阈值电压(VTH)低于8V的MOSFET。
图2：输入正向电流(IF)与输出短路电流(ISC)之间的线性关系。
对于线性模式下的MOSFET而言，其中的一个难题就是，即使是相同批次的器件，它们的栅源阈值电压也会各不相同。在栅源电压(VGS)超过阈值之后，漏极电流迅速增加，但VGS的变化却不大(参考文献1)。被应用到Q3和Q4栅极的输出电压(即VGS)根据Q3和Q4的跨导特性而改变，而光电耦合器输出端上的MOSFET Q2正是通过这种方式被偏置。
|
|
